반도체 공정 파이널 레포트

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1. 산소가스를 사용한 실리콘 기판의 건식 산화에 있어서 다음의 공정 파라미터가 산화율에 어떻게 영향을 미치는가에 대하여 원인과 현상을 서술하시오.

a) 기판의 결정방향이 (100)인 경우와 (111)인 경우 산화율의 비교
포물선 속도 상수 B는 습식 산화에서 건식산화의 경우보다 훨씬 크다.
습식 산화에서의 산화 속도가 증가함.
(111) 평면 위의 실리콘 원자의 밀도가 (100) 평면 위의 밀도보다 더 크기 때문에 선형산화 속도는 결정 방위에 의존한다. (100) 평면 위의 실리콘 결정보다 (111)평면 위의 실리콘 결정이 선형단계에서 더 빠른 속도로 산화시킬 것이고 더 큰 전하 증가를 가지고 있다.
보통 건식 산화는 포물선 단계를 거치게 되며 포물선 속도 상수인 B는 실리콘 기판의 결정방위에 무관함. 그러므로 습식 산화에서는 차이가 있을지 몰라도 건식산화에서는 (111) 평면과 (100)평면에서의 산화 성장률 차이는 거의 없을 것이다.

<중 략>

q) LDD
Short Channer effect에 의한 hot electron을 줄이기 위한 공정이다. Gate 아래를 낮은 불순물 농도를 갖도록 하여 전계의 수직성분을 감소시키게 된다.

r) CMP에서 슬러리의 종류와 구성
①산화슬러리 : KOH or NH4OH + 실리카 입자
②금속슬러리 : 알루미나 현탁액
③텅스텐슬러리 : PH 4~2의 산성용액, 알루미나 입자, K3Fe(CN)6, Fe(NO3)3, H2O2
④구리슬러리 : 알루미나 입자를 가진 산성 용액,
H2O2/HNO4+HOC2H5 or K3Fe(CN6)/Fe(NO3)3+NH4OH

참고 자료

나노 집접회로 공정기술(홍릉과학출판사, 윤영섭)