반도체제조공정 및 개요

소개글

반도체제조공정 및 개요를 깔끔하게 ppt로 작성한 레포트자료입니다.

목차

실리콘 ingot 성장법
1.Czochralski(cz)법이란?
2. Floating-Zone 법이란?

Wafer 제조

산화공정

현상

확산공정과 이온주입공정

박막 증착 공정

노광공정

식각

다이싱(Dicing)

Wire bondin

패키징

반도체 제조 공정의 간략화

본문내용

다이싱(Dicing)
웨이퍼 절단 공법에는 몇 가지가 있습니다.Dicing(Sawing)이란, 반도체 및 LED제조 공정중 Front End공정에 속하는 다이싱공정으로 한 웨이퍼에 만들어진 칩(die)를 각각 개별분리는 공정이다.
방법
1. 다이아몬드 휠 절단: 다이아몬드 휠을 고속회전시켜서 격자모양으로 자름.
2.Scrbing & Breaking: 1차로 다이아몬드 팁으로 Wafer 상에 절반자르고 다음금속 날(metal blade)을 사용하여 나머지를 자른다.다단 컷팅방법이다.(주로 LED 사파이어 기판에 적용)
3.레이즈 컷팅 Wafer level package공정에서 글라스(glass) 접착 경우, blade나 laser방식도 사용된다.절단 시 열에 의한 손상을 최소화하고 컷팅 폴을 최소화하기 위해 사용한다.
4.젯 컷팅고압으로 가압된 물+ Abressive (작은 Diamond 입자)를 노즐을 통해 분사하여자르는 방식으로 PCB Cutting에 응용되지만 제어하는 면에서 떨어진다

다이싱 공정을 통하여 개별 칩으로 분리하게 됩니다. 다이싱은 CAD 도면과 CNC 선반간의 상호 연동으로 정밀하게 다이싱 됩니다. 최종적으로는 다이싱 테이프에 칩이 붙여진 상태로 고객에게 전달 되며, 다이싱때 발생되는 파티클의 발생을 최소화 하는 공정을 MFSC에서 제공하고 있습니다

참고 자료

없음