프로젝트

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목차

Ⅰ. 프로젝트 목표 3


Ⅱ. MOSFET 이론 및 모델 변수 3
1. MOSFET 기본 특성 3
1). MOSFET의 I-V 특성 3
2). Channel Length Modulation 4

2. SPICE Modeling 4
1). 정의 및 중요성 4
2). MOSFET Spice Model의 발전흐름 5
3). MOSFET Level-2 Model 7
4). Second-Order Effects 8


Ⅲ. MOSFET 측정 및 모델 변수 추출 11
1. MOSFET 기본 특성 측정 11
1). 측정 소자 11
2). NMOS 전류-전압 특성 측정 12
3). PMOS 전류-전압 특성 측정 13

2. NMOS Level-1을 이용한 변수추출 14
1). LAMBDA 추출 14
2). VTO, KP 추출 15
3). GAMMA, PHI 추출 17
4). Simulation 19

3. NMOS Level-2를 이용한 변수추출 20

4. Spice를 이용한 Simulation (NMOS) 23

5. PMOS Level-1을 이용한 변수추출 24
1). LAMBDA 추출 24
2). VTO, KP 추출 25
3). GAMMA, PHI 추출 27
4). Simulation 28

6. PMOS Level-2를 이용한 변수추출 29

7. Spice를 이용한 Simulation (PMOS) 31

8. CMOS Inverter 32
1). 기본 입출력 특성 (Iout=0mA) 32
2). 출력 Load 가변 (Iout=-1mA~1mA) 35


Ⅳ. 결론 및 고찰 36

본문내용

. SPICE Modeling
1) 정의 및 중요성

- 회로소자의 특성을 수식화하고 관련 parameter들을 추출하여 simulation이 가능하도록 하는 작업을 spice modeling이라 한다. 일반적으로 spice parameter들은 소자 제작자 또는 제작회사에서 추출하며, 이를 설계자 및 설계회사에 제공하고 설계자는 modeling된 소자를 이용하여 원하는 회로 및 시스템을 설계할 수 있다. 만약 modeling이 제대로 되지 않으면 설계자가 설계한 회로의 특성을 제대로 예상할 수 없기 때문에, 정확한 예측이 가능하도록 modeling하는 것은 매우 중요하다. MOSFET의 spice model은 현재 많은 model이 존재하며 소자의 크기가 작아짐에 따라 발생하는 새로운 물리현상을 설명하기 위해 새로운 spice model의 개발이 지속적으로 요구된다.

2) MOSFET Spice Model의 발전흐름
- 앞서 언급한 바와 같이, MOSFET 소자의 크기가 작아짐에 따라서 새로운 물리현상이 발생하기 때문에 새로운 model을 지속적으로 개발해야 한다. 현재까지 BERKELEY 대학을 축으로 공용 model이 개발되어 왔고, 각 선진기업에서는 자사의 용도에 적합하고 기술적으로 우월한 model을 자체 개발하여 사용하고 있다.

참고 자료

없음