아주대논리회로실험 9장 RAM 결과(문답+빵판+고찰)

소개글

2011-2학기부터 논회실의 보고서 내용이 바뀌었습니다.
그 전과 달리 빵판회로구성 그림을 첨부해야되고, 피스파이스가 아닌 말로써 예상결과와
진리표를 작성해야된다는 점입니다.
빵판그림은 완전 노가다라서 상당한 시간이 걸리고 예상결과는 은근히 생각할게 많습니다.
이렇듯 전과 다른부분이 추가되서 저는 그래서 소스없이 혼자 다 만들었습니다.
그리고 논회실 보고서는 한개도 빠짐없이 만점 받았습니다.

목차

없음

본문내용

5) 동작, DRO/NDRO에 대한 검사, Volatility
a. 5V를 16번 핀에 연결하기 전에 ME와 WE를 +5V에 연결시킨다.
b. Memory location DCBA는 1011로 설정한다.
c. 초기에 기억된 데이터 값을 읽어낸다 (ME=0V, WE=+5V).
DO4 DO3 DO2 DO1 = 1 1 1 1
d. ME와 WE를 +5V에 연결한다.
e. DI4 DI3 DI2 DI1에 0110을 기억시킨다 (ME=0V, WE=0V).
f. ME와 WE를 +5V에 연결시킨다.
g. 기억된 데이터 값을 읽는다 (ME=0V, WE=+5V).
DO4 DO3 DO2 DO1 = 1 0 0 1
h. ME와 WE를 +5V에 연결한다.
i. DRO/NDRO를 실험하기 위해 기억된 데이터를 다시 읽는다 (ME=0V, WE=+5V).
DO4 DO3 DO2 DO1 = 1 0 0 1
j. ME와 WE를 +5V에 연결시킨다.
k. Volatility를 실험하기 위해 16번 핀의 VCC 입력단을 +5V에서 분리한 후 다시 16번 핀에 +5V(VCC)를 연결시킨다. 그런 후 현재 기억된 데이터를 읽는다 (ME=0V, WE=+5V).
DO4 DO3 DO2 DO1 = 1 1 1 1

참고 자료

없음