bjt 예비 레포트
- 최초 등록일
- 2009.05.12
- 최종 저작일
- 2008.05
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소개글
bjt(바이폴라 접합 트랜지스터) 예비 레포트 입니다.
목차
■ BJT ( Bipolar Junction Transistors )
■ BJT 개요
■ BJT 기본 동작
본문내용
■ BJT 기본 동작
바이어스전압(바이어스) : PN 접합의 이미터와 베이스 사이에 순방향의 직류 전압,
베이스와 컬렉터 사이에는 역방향의 직류 전압을 가하는 것
1) PNP 형
먼저 그림(a)에서 베이스와 컬렉터 사이에는 역방향 전압 VcB가 가해져 있으므로 PN접합에서는 전위 장벽이 높아져 베이스와 컬렉터 사이에는 전류가 흐르지 않는다. 그림(b)에서는 이미터와 베이스 사이에는 순방향 전압 VBE걸려 있으므로 전위 장벽은 낮게 되어 있다. 또 이미터의 P형쪽에서는 불순물의 농도를 높게 했으므로 정공(홀)이 다수 발생하고 있다. 베이스의 N형 쪽은 매우 얇기 때문에 불순물의 농도는 더 낮게 되므로 전자는 극히 적다. 따라서 이미터 안의 정공은 전위 장벽을 뛰어 넘어 확산에 따라 베이스 쪽으로 들어가서 그 일부분의 베이스 전자와 결합하여 소멸한다.
참고 자료
없음