습식 산화법으로 성장된 산화구리입자를 이용한 방열 컴파운드 제조 및 특성 연구
(주)코리아스칼라
- 최초 등록일
- 2023.04.05
- 최종 저작일
- 2017.04
- 8페이지/ 어도비 PDF
- 가격 4,000원
* 본 문서는 배포용으로 복사 및 편집이 불가합니다.
서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 27권 / 4호
ㆍ저자명 : 이동우, 엄창현, 주제욱
목차
1. 서 론
2. 실험 방법
2.1 시약
2.2 산화구리 분말 제조
2.3 방열 컴파운드 제조
2.4 X선 회절 분석
2.5 전계방사형 주사전자현미경/에너지 분산형 X선 분석
2.6 이온빔 집속장치
2.7 열전도도 분석
2.8 절연파괴전압 분석
3. 실험 결과 및 고찰
3.1 산화구리 특성 분석
3.2 방열 컴파운드의 열전도도 특성 분석
3.3 방열 컴파운드의 절연파괴전압 특성 분석
4. 결 론
Acknowledgement
References
영어 초록
Various morphologies of copper oxide (CuO) have been considered to be of both fundamental and practical importance in the field of electronic materials. In this study, using Cu (0.1 μm and 7 μm) particles, flake-type CuO particles were grown via a wet oxidation method for 5min and 60min at 75 oC. Using the prepared CuO, AlN, and silicone base as reagents, thermal interface material (TIM) compounds were synthesized using a high speed paste mixer. The properties of the thermal compounds prepared using the CuO particles were observed by thermal conductivity and breakdown voltage measurement. Most importantly, the volume of thermal compounds created using CuO particles grown from 0.1 μm Cu particles increased by 192.5% and 125 % depending on the growth time. The composition of CuO was confirmed by X-ray diffraction (XRD) analysis; cross sections of the grown CuO particles were observed using focused ion beam (FIB), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and energy dispersive analysis by X-ray (EDAX). In addition, the thermal compound dispersion of the Cu and Al elements were observed by X-ray elemental mapping.
참고 자료
없음
"한국재료학회지"의 다른 논문
더보기 (3/8)