ECR 플라즈마 화학기상증착법에 의한 0.12nm SiO2 환산두계를 갖는 Pb(Zr, Ti)O3유전박막의제조
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- 최초 등록일
- 2016.04.02
- 최종 저작일
- 1997.08
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 7권 / 8호
ㆍ저자명 : 김재환, 김용일, 위당문, 이원종
한국어 초록
ECR-PECVD법을 사용하여 450-490˚C이하의 온도에서 Pt/SiO2/Si기판 위에 PZT 박막을 증착하였다. 기판 온도가 460˚C 이하일 경우에는 페로브스이트 상과 제2상으로 이루어진 박막이 성장하였으며 기판온도가 470˚C이상일 때에는 페로브스카이트 단일상의 PZT 박막이 성장하였다. 490˚C에서 매우 얇은 페로브스카이트의 PZT 박막을 증착한 후 650˚C에서 1분간 raped thermal annealing(RTA) 처리한 결과 박막의 조성과 결정성에는 거의 변화가 없었으나 박막의 전하 저장 밀도는 크게 향상되었다. 이는 RTA 처리에 의한 저유전 계면층의 소멸이 주된 이유라고 판단된다. 열처리 후 두께 40-45nm의 PZT박막은 200kV/cm의 전장 하에서 10-6cm2이하의 누설전류값을 갖고 있었으며, 인가전압 1V에서 300fF/μm2의 정전용량, 즉 SiO2환산두께 0.12nm를 나타내었다.
참고 자료
없음
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