활성이온식각법에 의한 Y-Ba-Cu-O고온초전도 박막의 미세선 제작
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- 최초 등록일
- 2016.04.02
- 최종 저작일
- 1993.04
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 3권 / 2호
ㆍ저자명 : 박종혁, 한택상, 김영환, 최상삼
한국어 초록
In situ on-axis rf magnetron sputtering 방법으로 Y1Ba2Cu4 2Ox의 비화학 양론적인 타게트를 사용하여 Tc, zero/-88.2K, δTc,<1.5K의 고온초전도 박막을 제조하고, 활성이온식각법으로 이 박막을 patterning하여 그 특성을 조사하였다. 제조된 패턴은 깨끗한 경계면을 가지고 있음이 관찰되었으며, 패턴 폭이 5μm에서 2μm로 좁아짐에 따라 임계온도와 임계전류밀도의 특성저하가 나타났으나, 그 저하폭이 크지 않아 소자로서 응용하기에 충분한 특성을 가지고 있음을 확인하였다. 한편 RIE방법에 의하여 미크론 이하의 선폭 제조가능성을 확인하였다.
참고 자료
없음
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