조선대 전기재료 기말고사 A+ 정리본 및 시험문제 체크 개인적인 정리본이니 참고하세요

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본문내용

1. 반도체의 정의와 특성
정의 : 인간이 정확한 전기적 물리적 광학적 특성을 제어할 수 있는 물질
특성
- 도전율이 온도상승과 더불어 급속히 상승
- 도전율이 불순물의 종류나 양에 따라 현저히 달라짐
- 2종의 서로 다른 부호의 캐리어를 동시에 지닌 양극성전도

2. 원소형 반도체와 화합물 반도체를 용도에 따라 설명하시오. (참고)
원소형 반도체는 전기 전자 소자 기판으로 사용되고 화합물 반도체는 밴드갭이 다양하여 빛을 낼 수 있는 물질이다

3. 진성반도체와 외인성반도체를 페르미에너지와 전하캐리어로 설명하시오. 시험문제
① 진성반도체 : 순수한 단결정 반도체로 전도대의 정공의 수와 가전자대의 전자 수가 개로 일치한다.
즉, 진성반도체는 전도대의 에너지준위(EC)와 가전자대의 에너지 준위(EV) 의 1/2지점에 페르미에너지 준위가 나타난다. 이는 진성 에너지 준위가 거의 같다고 볼 수 있다.

② n형 반도체 : 외인성 반도체로 진성반도체에 도너(5가 A족) 불순물을 첨가하여 정공의 수보다 전자의 수가 더 많은 상태인 반도체이다.
즉, n형 반도체는 전자의 농도가 높아 페르미에너지 준위가 진성에너지준위보다 높고 전도대의 에너지 준위보다 낮게된다.

③ p형 반도체 : 외인성 반도체로 진성반도체에 억셉터(3가 A족) 불순물을 첨가하여 전자의 수보다 정공의 수가 더 많은 상태인 반도체이다.
즉, P형 반도체는 정공의 농도가 높아 페르미 에너지 준위가 가전자대 에너지 준위보다 높고 진성에너지준위보다 낮게 된다.

노트에서 상온에서 낮은 에너지에 있을 때 전기적 특성이 발생하는 이유 한번 보기
: 상온보다 높은 에너지에 페르미 에너지 준위가 나타날 때는 자유전자가 생성이 되지 않는다

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