반도체공정, 반도체고집적공학 예상문제+공정순서 정리

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본문내용

Scaling ratio(scaling down에 따른 metal line 저항)
Acoustic measurement(film thickness)
Thermal stress
IC fabrication에서 Ti의 용도를 세가지 이상 나열하라
TiSi2
TiN = diffusion barrier(W diffusion), adhesion layer, ARC(metal patterning에서 resolution향상)
Adhesion layer
Welding layer(산화 방지=>reduce Rc)
CMP이전의 Planarization method를 세가지 이상 나열하라
답)Thermal flow-reflow, Sputtering etchback, PR etchback, SOG etchback
PR etchback이 planarize잘 못하는 이유
답)F가 oxide etching하면서 O 방출 => PR의 ER 증가
CMP의 장점 세가지 이상

참고 자료

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