실습4.MOSFET의 특성측정-에이쁠-예비보고서

소개글

에이쁠 받은 보고서입니다. 참고용으로도 많은 정보를 담았으니, 학습에 많은 도움이 될겁니다.

목차

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

본문내용

(A) Data Shet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data shet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Shet에서 구한 kn을 이용하여VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라
- 아래 datasheet에서도 나와 있는 것처럼 VT는 보통 2.1V크기의 전압이다. 이것과 VGS=4.5V이고, ID=75mA일 때 VDS(ON)=0.14V라는 것을 이용해서 kn을 구할 수 있다. 먼저 이 상황에서 Vov=Vgs-VT>VDS(ON)이므로 triode region에서 MOSFET가 작동한다는 것을 알 수 있다.
Triode region에서 공식 : iD=kn[(vGS-Vt)vDS-0.5*vDS2] 에서 주어진 값을 적절히 대입해보면, kn=0.2299A/V2이 구해진다. 이 값을 gm의 식에 대입시켜 gm또한 구해준다. gm=kn*VoV=0.2299*0.6=0.1379A/V

참고 자료

없음