RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

소개글

pram과 차세대메모리에대한 설명

목차

1. RRAM의 개요 및 필요성
2. RRAM 특성의 재료
3. 강유전성 페로브스카이트 구조
4. RRAM 저항 변화 원리-스위칭 메카니즘

본문내용

1. RRAM의 개요 및 필요성

현대 정보 통신사회는 문자,음성 및 영상 등을 복합적으로 이용한 쌍방향 통신을 교환하기 위하여 더 많은 정보를 더욱 빠르게 처리 할 수 있는 능력을 가진 반도체 소자를 요구하고 있다. 또한 이러한 방대한 양의 정보를 저장하고 다시 사용하기 위한 저장장치의 생산능력은 경이로울 정도로 발전해 왔고 이에 따른 제품의 소형화 및 초고집적화가 이루어짐에 따라 박막 제조 공정 기술과 박막 재료의 특성평가에 대한 연구 또한 활발히 이루어지고 있다. 그러나 현재의 저장장치 중에서 휘발성 메모리의 성장은 그 한계에 다다랐다는 분석과 이를 대체할 차세대 메모리의 개발에 박차를 가하고 있다. 이러한 경제/산업적인 고용량 정보 저장에 필요한 초고집적화가 가능한 비휘발성 메모리 소자 개발의 필요성이 그 어느 때 보다도 커지고 있는 것 또한 의심의 여지가 없다.
이러한 배경은 기존의 DRAM(dynamicrandom accessmemory)공정은 1-Transistor/1Capacitor(1T1R)구조의 단위cell을 이루고 있는데, 소자의 크기가 작아짐에 따라,capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 매우 어렵게되는데 있으며 기존 DRAM을 대체할 수 있는 메모리의 필요성이 크게 요구되고 있다. 현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 DRAM의 고집적성과 낮은 소비 전력, frash메모리의 비휘발성, SRAM (staticrandom accessmemory) 의 고속 동작을모두 구현하기 위한 시도가 이루어지고 있다. 최근 ITRS roadmap에 따르면,차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM (phase change RAM), NFGM (nano floating gate memory), RRAM (resitance RAM), PoRAM(polymerRAM), MRAM (magneticRAM),분자전자 소자 등이 있다.

참고 자료

없음