[전자회로실험] 트랜지스터의 소신호 특성 예비레포트

소개글

트랜지스터의 소신호 특성 예비레포트입니다.

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 기초이론
4. 실험내용

본문내용

1. 실험제목 : 트랜지스터의 소신호 특성
2. 실험목적
1) CE 증폭기의 입력 및 출력 임피던스를 측정한다.
2) CE 증폭기의 dB 전력 이득을 결정한다.
3) 오실로스코프를 사용하여 CE 증폭기의 입력 및 출력 신호 전압의 위상을 관찰한다.

3 기초이론
(가) CE 증폭기의 소신호 등가 회로
트랜지스터는 3단자소자이나, 한 단자를 입력 및 출력측에 공통으로 사용하는 경우 4단자소자로서 취급할 수 있으며 4단자회로의 일반이론을 적용할 수 있다. 아래 그림 (a)는 트랜지스터를 4단자회로로 보았을 때의 현상을 나타내었다. 이 회로에 있어서 4개의 변수(입력전류 i1, 입력전압 v1, 출력전류 i2, 출력전압 v2) 가운데 임의의 2개가 주어지면 나머지 2개는 회로의 특성으로부터 결정될 수 있을 것이다. 그러므로 어떤 둘을 독립변수로 택하는가에 따라서 회로의 소신호 동작을 표시하는 방법을 여러 가지 생각할 수 있다.

CE 증폭기로 가장 많이 사용되는 회로는 위 그림 (b)와 같으며, 도한 소신호 등가회로는 그림 (c)와 같이 된다. 결합(coupling) 컨덴서 C1과 C2 및 측로 컨덴서 C3는 신호 주파수에서 매우 작은 리액턴스를 가지도록 선택되므로 모든 실제 목적에서는 저저항 통로로 대치될 수 있다. 그림 (c)에서 에미터는 입력 신호와 출력 신호에 대해공통 접지 되어 있음을 알 수 있다. 트랜지스터의 등가 회로는 저주파와 고주파에 따라 달리 표시되고 있다.
저주파 영역에서 소신호로 동작하는 CE 구성 BJT의 h-parameter 등가 회로를 아래 그림 (d)에 표시하였다.

참고 자료

없음