LED발표

소개글

LED 발표 자료로서 10분~15분짜리 자료로 그림과 그래프, 기타 표를 중심으로 원리에 대한 기술을 발표자가 하실때 쓰실 자료입니다.

목차

서론

1) 빛의 혁명 LED
2) LED 기술개발의 역사

본론
1) LED 원리
2) LED 재료
3) 고휘도 LED

본론2
1) 고성장이 예상되는 LED시장
2) LED 산업구조와 경쟁 현황

결론
대응 방안

본문내용

색에 따른 파장 및 빛 에너지
<1.72
>720
적외선
1.72~1.98
625~720
적색
1.98~2.06
600~625
주황색
2.06~2.18
570~600
황색
2.18~2.41
515~570
녹색
2.41~2.53
490~515
청록색
2.53~2.72
455~490
청색
2.72~3.18
390~455
보라색
>3.18
<390
자외선
빛 에너지hv(eV)
파장λ(㎚)
색
LED 재료
-적색 LED : GaAlAs, GaAs와 GaAsP가 주로 사용되어 왔다. -녹색 LED : 초기 간접천이형 반도체인 GaP. InGaN를 통해 고휘도LED
-청색 LED : SiC, ZnSe, GaN 경합. 차후 InGaN 을 통해 고휘도LED
고휘도 LED 기술 현황
▶ Al의 조성비를 통해 에너지 밴드 갭을 1.9∼2.26eV까지 조절
▶ MOCVD법에 의해서만 성장가능 -> 발광효율이 떨어짐.
(590nm에서 26lm/W, 외부 양자효율이 5%)
But, VPE와 웨이퍼 접속기술을 결합하면 좋은 성능지수를 구현
▶칩 형태에서 가장 높은 성능지수를 나타냄
-절두형 역 피라미드(truncated inverted pyramid)
노랑색 영역(610nm)에서는 100lm/W를 초과하는 최고의 발광효율을 보이며,
적색 영역(650nm)에서는 외부 양자효율이 55%로 역시 최대값을 나타내는
것으로 알려짐
1. AlInGaP LED
고휘도 LED 기술 현황
▶ 기판의 부재 -> GaN나 AlN의 완충층을 사용
▶ 사파이어 기판 또는 SiC 기판에서 청,녹색에 대해 기판의 흡수가 없어
광 적출효율을 높일 수 있음.
▶ MOCVD에 의해 성장. In의 조성에 따라서 자외선에서 적색까지의 파장구현
▶ InGaN의 성장은 InN의 증기압이 GaN의 증기압보다 높고 In의 조성이
높을수록 성장온도가 낮아져 어려움.
-> 충분한 NH3의 공급과 Carrier Flow의 조절필요
2. InGaN LED
고휘도 LED 기술 현황
3. 백색 LED
고휘도 LED 기술 현황
Not required
Not required
Under development
Available
Phosphor Material

참고 자료

산업자원부 보도자료 http://www.mocie.go.kr
전자정보센터 http://www.eic.re.kr
과학기술정보 포털서비스 http://www.yeskisti.net
삼성경제연구원 http://www.seri.org

SERI 경제 포커스 2007.04.23 제 140호
LED 조명 응용기술 동향 2005.9 한국과학기술정보연구원

Optical Semiconductor Devices Mitsuo Fukuda