SOI와 TFT 기판제작방법

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SOI와 TFT 기판제작방법에 대한 내용입니다.

목차

1. SOI 기판 제작방법
1-1. 정의 및 발전 과정
1-2. 특징 및 용도
1-4. 제조 방법
2. TFT 기판 제작장법
1.PECVD공정
2.Sputtering 공정(증착공정)
3.Photolithography공정 (현상공정)
4.Dry etch공정(식각공정)
5.Wet etch/Strip 공정(식각/박리공정)
6.Cleaning공정(세정공정)
3. 자료출처

본문내용

1. SOI 기판 제작방법
1-1. 정의 및 발전 과정
SOI 구조는 좁은 의미로서는 실리콘 웨이퍼 기판 위에 절연막으로서 실리
콘 산화막이 성장되어 있고, 이 위에 단결정 실리콘이 형성된 구조를 의미하며, 넓
은 의미로는 기판과 절연막의 종류에 무관하게 최상부에 단결정 실리콘 층이 형성
된 구조를 포함할 수 있다. 이의 구조를 그림 1 에 보였는데, 기본 개념은 정전
용량 성분을 가능한 줄이고, 소자의 전기적 절연을 완벽하게 하고자 하는 시도에서
비롯되었다.
이러한 SOI 기술은 1960 년대에 SOS(Silicon-On-Sapphire)가 연구된 것을
기점으로 하여 시작되었으며, 1980 년대 초반에 이르러 연구 개발이 보다 활발해지
기 시작하였으나, 이 시기에는 결정 결함이나 응력, 그리고 두께의 균일성 등과 같
은 기술적 장벽을 극복하기가 어려웠다. 초기에는 레이저나 할로겐 램프 등을 이
용하여 다결정 실리콘 층을 재결정화 시키는 공정(Zone-Melting-and-
Recrystallization: ZMR)이 주로 사용되었으며, 이 외에도 다공질 실리콘의 산화,
실리콘의 측면 에피택셜 성장, 비정질 실리콘의 재결정화 등이 시도되고, 이를 통
하여 간단한 소자들에 제조되어 왔으며, 기술적 경쟁 과정을 통하여 선택된 기술들
이 현재 SOI 구조의 제품화에 적용되고 있다.
즉, 산소 이온 주입 후 열처리 과정에 의한 SIMOX(Separation by
IMplantation of OXygen) 기술, 산화막이 성장된 실리콘 웨이퍼를 직접 접합한 후
에 연마 과정을 거치는 BESOI(Bond and Etch back SOI) 기술, 접합된 웨이퍼가 연
마되지 않고 이온 주입된 영역 등을 통하여 분리되도록 하는 Smart Cut(UNIBOND)
기술, 그리고 다공질 실리콘 위의 에피택시 및 웨이퍼 접합 후 절단 공정을 특징으
로 하는 ELTRAN (Epitaxial Layer TRANsfer) 기술 등이 이에 해당한다.

참고 자료

없음