[전자회로]BJT의 특성 및 바이어스

소개글

BJT의 특성 및 바이어스

목차

1.관련이론
2.실험내용

본문내용

1. 관련이론
트랜지스터는 그림1과 같은 구조를 같는 3층 반도체 소자이다. pnp형과 npn형의 두가지 형태의 트랜지스터가 있는데, 그림1은 트랜지스터에 적당한 바이어스가 인가되어 있다. dc-bias는 신호(ac 또는 dc)증폭을 위해 적당한 동작영역을 확립하는데 반드시 필요하다.

그림2는 트랜지스터의 회로기호를 표시하고 있다. 트랜지스터에는 에미터(emitter), 콜렉터(colletor), 베이스(base)라는 3개의 단자가 있다. 이미터는 불순물을 많이 첨가하고, 베이스는 보다 적게 불순물을 첨가하며, 콜렉터는 불순물을 거의 첨가하지 않는다.
외각층은 중간에 있는 p형 혹은 n형 물질보다 폭이 매우 크다. 중심층의 폭에 대한 전체 폭의 비는 150:1이다. 또한 중간에 있는 층은 외곽층보다 도핑을 적게 한다. 도핑을 적게 하면, 자유캐리어의 수를 제한하여 그 물질의 전도성이 감소된다(저항증가).이와 같은 3단자 소자를 BJT(Biporal Junction Transister)라고 하는데 쌍극성(Biporal)라는 용어는 전자(electron)와 정공(hole) 두 캐리어가 트랜지스터에 관여한다는 사실에서 비롯된다.
트랜지스터가 정상작동상태에서는 활성영역에 있어야 한다. 즉, 에미터 접합은 순방향으로 바이어스되고 콜렉터 접합은 역방향으로 바이어스된다. 활성영역에서의 pnp형 트랜지스터에 대한 각 전류성분은 그림3과 같다.

가) 베이스공통회로
pnp 및 npn 트랜지스터의 베이스공통회로는 그림4에 나타내었다. 여기서, 모든 전류의 방향은 전공의 방향을 취하고 있다.
베이스공통 트랜지스터의 동작을 나타내는데 필요한 특성곡선이 있는데, 입력특성을 나타내는 에미터특성과 출력특성을 나타내는 콜렉터특성이 있다.

참고 자료

없음