[공학] 트랜지스트의 구조와 동작

목차

가). NPN, PNP접합
나). 에미터 작용(베이스에 소수 캐리어를 주입하는 전극)
다). 컬렉터의 작용(베이스 측에서 공핍층에 들어오는 자유 전자를 모으는 작용을 하는 전극이라는 뜻)
마. 전류 증폭률 의 크기 결정하는 것
바)트랜지스터의 동작을 물에 흐름에 의한 비유의 모형
사). NPN형과 PNP형의 전압과 전류관계

본문내용

가). NPN, PNP접합

먼저 구조는 NPN인 경우 두 개의 N형 반도체 사이에 아주 얇은 P형 반도체를 끼운 샌드위치 구제이며 NPN접합으로 이 N과 P와 N의 세부분은 하나의 단결정에 제작된 것이다. 이세개의 전극을 에미터(Emmiter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)라고 하고 기호로 E, B, C로 나타낸다.
그림 5는 NPN접합을 에너지 그림으로 표시한 것인데 외부 전압을 걸지앖는 상태(평행 상태)에서는 각각의 페르미 준위는 일치 하고 있다.
실제 트랜지스터 작용을 하는 반도체 부분은 패키지 중에 있는 칩이라는 것으로 하는 작은 것 0.5에서 7(파워 트랜지스터) 크기의 칩속에 NPN, PNP트랜지스터가 있다.

나). 에미터 작용(베이스에 소수 캐리어를 주입하는 전극)


NPN접합에서 에미터는 N형 자유전자를 억수로 많이 가지고 베이스는 P형으로 전공의 양은 에미터의 자유 전자량보다 훨씬 적어야 한다. 또한 베이스 뚜께(베이스 폭 : Wb)는 아주 얇아야 한다.

참고 자료

없음