반도체 소자 실험 버랙터 다이오드 report

목차

1. 서론
2. 본론
3. 결론 및 고찰

본문내용

서론
버랙터 다이오드란 튜너와 같이 커패시터 용량이 적은 회로에서 사용한다. 다이오드의 n형과 p형 영역은 전도 영역이며, 전하가 존재하지 않는 공간 전하영역은 절연체로서 역할을 하는 것이다. 커패시터의 용량은 역방향 바이어스에 의한 공간 전하 영역의 폭에 역 비례한다. 버랙터를 이용해 공진 회로를 구성한 후 역방향 바이어스 변화에 따른 공진 주파수를 측정한다.

본론
그림 3-6과 같이 버랙터 공진 회로를 구성한 후 전압분배리로 15V를 주고 함수발생기를 1.0Vpp에 주파수를 100kHz로 맞춘다. 저항 측정값은 R1=5.1M옴과 가변저항은 다리2,3번을 10k옴으로 맞췄다. VBIAS를 0.0V~15.0V로 맞춘후 공진주파루(fr)을 관찰한다. VBIAS 0.0V=104kHz, 1.0V=109kHz, 2.0V=111kHz, 4.0V=114kHz, 8.0V=116kHz, 15.0V= 118kHz 가 나왔다. X축을 전압으로, y축을 공진 주파수로 할 때 오른쪽 갈수록 점점 증가하는 것을 확인할 수 있었다.

참고 자료

없음