[기초회로실험] 28장. 트랜지스터의 특성 예비레포트

소개글

[기초회로실험] 트랜지스터의 특성 예비레포트

목차

1. 실험목적
2. 관련이론
3. 실험준비과제
4. 실험순서
5. 참고문헌

본문내용

1, 실험목적
트랜지스터의 회로구성 및 바이어스 방법을 습득하고, 특성곡선으로부터 입출력간의 증폭원리를 이해하고 실험을 통하여 확인한다.

2. 관련이론
(a) 트랜지스터의 개요
반도체에 관한 과학적 관심은 트랜지스터의 발달을 가져왔다. 트랜지스터의 장점 중 하나는 작고 가볍기 때문에 전자장비의 소형화를 가능하게 한다는 것 이다. 트랜지스터는 낮은 공급전압에서 동작하며 전력소모가 적다. 또한 예열시간이 필요 없기 때문에 전력이 인가되면 즉시 작동하며 내부에는 회로연결이 거의 없다. 트랜지스터의 단점은 열에 민감한 것이지만 많은 열을 발생하지는 않는 것이 장점이다.
많은 종류의 트랜지스터가 있는데 들은 만들어지는 기본물질에 따라 분류된다. 이런 범주 내에서 게르마늄과 실리콘 트랜지스터를 찾을 수 있는데 대부분의 트랜지스터는 실리콘으로 만들어져 있다. 또한 구성하는 과정에 따라 분류되기도 하는데 여기에는 성장접합형, 합금접합형, 표동전계형, 메사(mesa)형, 애피택시epitexi)메사형 및 평면트랜지스터 등의 접합트랜지스터와 점접촉트랜지스터가 있다. 뿐만 아니라 전력소모능력에 따라 분류되기도 하는데 저 전력 (50[w] 이하)형에서부터 고 전력(2[w] 이상)형으로 나누어진다.

(b) 트랜지스터의 구조
트랜지스터는 2개의 p형층과 1개의 n형층, 또는 2개의 n형층과 1개의 p형층으로 이루어진 3층 반도체 디바이스로서 그림 28-1(a)와 같이 pnp형 트랜지스터와 npn형 트랜지스터로 만들어진다. 그림 28-1(b)는 트랜지스터의 기호로서 단자의 표시는 이미터(E: emitter), 컬렉터(C: collector) 및 베이스(B: base)로 구성되어 있다.

(C) 트랜지스터의 규격
◎ 형태
대부분의 트랜지스터는 2N3904, 2N3906과 같이 앞에 2N을 붙여 표시하며 2N은 2개의 접합을 가지고 있는 반도체를 의미한다. 다른 트랜지스터는 MTE5192, FA3333과 같이 제조회사의 번호 등을 붙여 표시하는 것도 있다.

참고 자료

전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험ㅣ강경인 외ㅣ문은당
[네이버 지식백과] pnp형, npn형 트랜지스터