전기전자 기초실험 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성 예비,결과 report

목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 실험 방법
4. 시뮬레이션
5. 실험결과
6. 실험결론
7. 실험고찰

본문내용

❏실험목적
DMM을 사용하여 트랜지스터 종류, 단자, 재료를 결정한다.
실험적으로 트랜지서터의 출력특성을 조사한다.
트랜지스터의 와 값을 결정한다.

❏이론
바이폴라 트랜지스터는 Si이나 Ge 중의 하나로 만들어진다. 그들의 구조는 하나의 p형 재료층으로 분리된 두 개의 n형재료 층으로 구성되거나 하나의 n형 재료층으로 분라된 두 개의 p형 재료층으로 구성된다. 어느경우나 중앙의 층이 트랜지스터의 Base를 형성하고 외부의 층은 컬렉터와 이미터를 형성한다. npn과 pnp는 각 단자에 인가되는 전압 극성과 전류 방향만 반대이며 다른 특성은 동일하다. 두 종류의 트랜지스터 기호는 이미터 단자에서 화살표로 구별시키며 관례적으로 전류 흐름의 방향을 가리킨다.

<중 략>

9. 두단자 사이의 DMM값은 DMM단자가 연결된 극성 관계없이 높게 나타날 것이다. 이 두단자 모두 베이스는 아니다. 위를 기초로 표7-2에 베이스 단자 번호를 기록하라.
10. 음의 리드를 베이스에 연결하고 양의 리드는 다른 두 단자중의 하나에 연결한다. 만약 DMM에 표시된 값이 낮다면 트랜지스터의 형태는 pnp의 경우 순서11-1로 가고 높다면 npn의 경우 11-2로 간다.
11-1 pnp형에 대하여, 음의 리드를 베이스 단자에 연결하고 양의 리드를 다른 두 단자중의 하나에 연결한다. 얻어진 두 개의 기록중에 더 낮은 것이 베이스와 컬렉터가 연결된 것을 나타내고, 다른 단자가 에미터이다.
11-2 npn형에 대하여, 양의 리드를 베이스 단자에 연결하고 음의 리드를 다른 두 단자중의 하나에 연결한다. 얻어진 두 개의 기록중에 더 낮은 것이 베이스와 컬렉터가 연결된 것을 나타내고, 다른 단자가 에미터이다.
12. 순서 11에서 값이 근사적으로 700mV면 트랜지스터 재료는 실리콘이고 300mV의 경우에는 게르마늄이다. 만약 DMM이 다이오드 테스팅 스케일이 없다면 재료는 직접적으로 결정할 수 없다.

참고 자료

없음