공통 이미터 증폭기 & 공통 소스 증폭기 비교

목차

1. 목적

2. 이론
(1) BJT
(2) MOSFET

3. 결과
(1) 측정값
(2) 실험 사진
(3) 시뮬레이션 결과

4. 결론
(1) BJT & FET 특성 비교
(2) CE 증폭기와 CS 증폭기의 공통점 & 차이점
(3) 결론 및 토의

본문내용

1. 목적

BJT의 공통 이미터와 대응되는 MOSFET의 공통 소스 증폭기를 비교하는 실험을 진행한다.
이 두 트랜지스터는 높은 전압이득을 얻을 수 있다는 장점 때문에 널리 사용되고 있다. 둘을 비교함으로서 트랜지스터의 동작 특성을 더 자세히 알아보고자 한다.

2. 이론

(1) BJT

바이폴라 접합 트랜지스터는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로 되어 있으며 3개의 단자를 이미터, 베이스, 컬렉터라고 한다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 지니고 있으므로, 증폭기로 사용될 수 있다.

<중 략>

, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다.
① 공통 소스 증폭기
공통 소스 증폭기는 게이트가 입력단자, 드레인이 출력단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 기본적인 공통 소스 증폭기에서 입력은 게이트-소스 전압이고 출력은 드레인-소스 전압이다. 게이트-소스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이전류가 출력 쪽의 저항 R 에 의해서 전압으로 변환되면서 전압을 증폭하게 된다.

참고 자료

없음