D램반도체와 플래시반도체

등록일 2003.04.25 한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

목차

D램반도체

플래시반도체
1. 플래시 메모리의 정의와 특성
2. 플래시 메모리의 종류
3. 플래시 메모리와 기타 메모리의 비교
4. 시장 동향과 전망

본문내용

D램 반도체

1960년 AT&T Bell연구소에 근무하던 한국인 강대원 박사에 의해 MOS Transistor가 발명된 이래 MOSFET는 제조 기법과 특성이 크게 개선되어 기존의 Bipolar Transistor를 대체해 각종 회로 제작에 이용되었다. 이후 1967년 IBM의 Dennard박사에 의해 1 MOS Transistor + 1 Capacitor DRAM Cell이 발명되었고 1970년 Intel사에 의해 1Kb MOS DRAM이 개발되었다. 한국에서는 1970년대에 KIST에서 Transistor에 대한 기초 연구가 진행되어 금성사(현 LG반도체)와 시계용 MOS IC 개발 등을 전개하였으며 1980년대 초에는 KIET(현 ETRI의 전신)에서 8 Bit Microprocessor를 비롯한 MOS 집적회로에 대한 연구가 활발히 진행되었다.
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