재료기초실험 반도체소자의 형명 및 판별법

소개글

3주차 재료기초실험 반도체소자의 형명 및 판별법

목차

1. 제목
2. 실험 일시 및 장소
3. 실험목적 및 원리 (이론)
4. 장치, 방법
5. 결과
6. 고찰

본문내용

(2) 실험원리 (이론)

[1] 반도체 소자의 형명 판별법

반도체 소자에 대한 형명은 미국에서는 1N...., 2N...., 등의 JEDEC 규정에 의하여 쓰고 있고 구라파에서는 로마자와 숫자의 조합으로 표시되고 있으며, 일본에서 쓰고 있는 형명은 일본공업규격 JIS 와 일본 전자기계 공업회 표준 규격인 EIAJ에 의한 표시로 2SA.., 2SB.., 등의 형명이 사용되고 있으며 우리나라에서는 주로 일본 형명 호칭법을 많이 사용하고 있다. 형명구성은 5항으로 되어있고, 각각의 뜻은 다음과 같다.
2 S A 735 A
1항 2항 3항 4항 5항

1항의 숫자
반도체 소자의 종별을 나타내고, 숫자는 정류성 접합의 수와 동일하다

<중 략>

Diode
(일반 다이오드, LED)
1.순방향 시험: DMM로 다이오드 검사를 함. 적색을 애노드, 흑색을 캐소드 LCD에서 확인
2.역방향은 반대
다이오드 측정법과 같지만, DMM의 LCD에 1.5V~2.0V가 나오면 순방향 0L이면 역방향

FET
테스터를 R x 100레인지로 하여 게이트를 찾는다(베이스를 찾는 방법으로) 게이트와 소오스간의 순방향 값<게이트 드레인 방향값(보통)
게이트 소오스간의 순방향 값= 게이트 드레인 순방향 값(소와드 교체)
테스터의 저항계를 드레인 소와드 간에 대고 게이트에 손가락을 대었을때 지침이 흔들리면 양호

<중 략>

첫 번째로 트라이액에서의 오차가 컸고 Photo TR에서의 오차도 상당하였다. 트라이액의 저항 수치는 아예 달랐다. 또한 이론상 Photo TR의 정상적인 제품은 빛을 차단하면 저항 값이 증가하고 빛을 쬐면 저항 값이 떨어져야 하는데 직접실험을 해보았을 때는 반대가 되었다. 우리 조는 우리가 실험을 잘못한줄 알고 다시 한 번 시도를 해보았지만 결과는 똑같았다. 조교누나께 여쭤보니 몇 년 동안 쓰는 제품이라 아무래도 고장 난 것 같다고 하셨다. Photo TR의 상단에 빛을 투과시키는 창이 있어서 저항 값이 당연히 빛을 받으면 떨어져야 하는데 반대로 나와서 정말 아쉬웠다.

참고 자료

없음