전자회로 REPORT2 트랜지스터(BJT)의 동작

목차

1 트랜지스터의 기호와 단자의 표시
2 트랜지스터의 동작특성

본문내용

3장 트랜지스터
트랜지스터는 접합방식에 따라 PNP-type과 NPN-type, 만든 재료에 따라 실리콘과 게르마늄 트랜지스터로 구분된다. 오늘날에는 실리콘 트랜지스터가 대중을 이루고 있다. PNP 트랜지스터는 아래 그림과 같이 두개의 P-type 반도체 사이에 얇은 N-type 반도체를 접합시킨 것이다. 왼쪽의 P-type 반도체를 에미터(emitter), 가운데 N-type 반도체를 베이스(base), 오른쪽의 P-type 반도체를 콜렉터(collector)라 한다.

PNP 트랜지스터의 접합

트랜지스터에서 바이어스를 가하는 방법 및 전류의 형성을 이해하기 위해 아래그림(3.1내 그림)과 같은 상황의 PNP 트랜지스터를 고려하자.

<중 략>

트랜지스터의 동작특성은 베이스-에미터간의 전압(VBE)에 대한 베이스 전류(IB)의 변화와 콜렉터-에미터간의 전압(VCE)에 대한 콜렉터 전류(IC)의 변화로 대표된다. 그림 5-4는 전형적인 NPN 트랜지스터에 대한 특성곡선들을 보여준다. IB-VBE 곡선은 다이오드와 같은 특성을 보이며 IC-VCE 곡선을 보면 적은 양의 베이스 전류에 대해 콜렉터 전류는 증폭되어 크게 나타나며 이 콜렉터 전류의 크기는 VCE전압 보다는 베이스 전류 IB에 의해 잘 조절됨을 알 수 있다. 이런 이유에서 트랜지스터를 전류 동작형 소자라 부른다.

<중 략>

전자회로 이론을 통하여 ICEO = ICBO = 1 × ICBO
1 - 1 -
임을 알 수 있는데, 1/1- 부분이 이 문제에서 요구하는 β값, 즉
/ 1- 인 것이다.
그렇지만 여기서 β값을 구하려면, 일단값을 알아야 한다.
값은 IC / IB 즉, 접합 건너편으로 지나가는 캐리어의 비율() 이므로 그래프를 자세히 분석하여 값을 구할 수 있다.
이 그래프에서 VCE는 10V까지의 간격으로 칸 당 1V 씩 X축 증가함을 보이고, IC와 IB는 거의 수평이긴 하지만 그래도 자세히 분석을 한다면, 공통 이미터 출력 특성상 경사가 져 있다.

참고 자료

없음