[구조세라믹스] DC Bias가 인가된 ICPHFCVD를 이용한탄소나노튜브의 수직 배향법

목차

1.서론
2.문헌연구
3.결과 및 고찰
4.결론
5.References

본문내용

본 연구에서는 RF(Radio Frequency)를 가해준 고밀도 플라즈마 화학기상 증착 장치인 ICPCVD를 이용하여 DC bias와 텅스텐 필라멘트를 추가 장착하여 그에 따른 수직 성장 특성을 조사하기 위하여 DC bias가 인가된 유도결합형 플라즈마 화학기상증착법을 이용하였다. 본 연구에서 탄소나노튜브를 수직 성장시키기 위해 DC bias가 인가된 ICPHFCVD(유도결합형 플라즈마 열선 화학기상증착법)를 이용하였다. 이 장치는 유도결합형 플라즈마를 인가시키기 위해 챔버 상부에 큰 전기장을 인가 할 수 있는 Pt가 코팅된 Cu코일을 유전체 튜브 외부에 4회 감아 튜브 내부에 고밀도 플라즈마를 생성시킬 수 있고, RF generator의 power는 600W까지 인가할 수 있고, self-bias효과가 있는 것이 특징이다. 기판은 4inch까지 증착이 가능하며, 촉매가스와 원료가스를 분리 주입시킬 수 있어 탄소나노튜브 성장부에서의 샘플과 플라즈마의 거리 조절이 가능하고, 반응 가스들의 밀도를 최대화시킬 수 있어 탄소나노튜브의 고품질화에 있어 효과적이다.
따라서 본 연구에서는 DC bias가 인가된 ICPHFCVD를 이용하여 강화 유리기판(Saint-Gobain Co. #CS77)의변형없이 580℃에서 탄소나노튜브를 다양한 성장 조건에서 수직으로 배향 시키며, 탄소나노튜브의 특성화에는 SEM, TEM, Raman spectroscopy를 통해 실시하였다.

참고 자료

없음