다이오드

소개글

다이오드 실험

목차

제목
목적및 원리
실험장치 및 방법
데이터
결과 및 고찰
검토

본문내용

1) 실험 제목
다이오드
2) 실험 목적 및 원리
실험 목적 : 다이오드의 순방향, 역방향 연결 회로를 이해하고, 이를 이용하여 다이오드의 전류를 측정한다.
순방향 전류
전원을 p-n접합 다이오드의 p형쪽에 +극을, n형쪽에 대하여 -극을 연결할 때 순방향전압(Forward Voltage) 또는 순방향 바이어스(Bias)가 걸려있다고 말한다. 이 때 다이오드를 통하여 큰 전류 즉, 순방향 전류 (Forward Current) 가 흐른다. 이는 p영역의 hole이 n영역으로, n영역의 전자가 p영역으로 활발히 흐름으로인해 p영역에서 n영역으로 큰 전류가 흐르게 된다.
역방향 전류
p-n접합 다이오드에 외부전압이 n형쪽에 +, p형쪽에 -가 되도록 가해질 때 역방향전압(Reverse Voltage) 또는 역방향 바이어스(Bias)가 걸렸다고 말한다. 이때 다이오드를 통해 극히 미약한 전류 즉, 역방향 포화전류(Reverse Saturation Current)가 n영역에서 p영역으로 흐른다. 이 전류는 낮은 역방향전압에서 쉽게 최대치에 도달하며 역방향 전압을 높여도 그 이상 더 커지지 않으므로 역방향 포화전류라고 부른다.
문턱전압
접합다이오드의 접합 부분에 p형 반도체에는 -형이, n형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, p형 반도체에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 된다. 이 부분을 공핍영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다.
3) 실험 장치 및 방법
실험장치
직류전원 0-30V DC, 교류전원 6.3V, 저항 100Ω 1/4W, 저항 10kΩ 1/4W, 다이오드 1N4001(Si), 다이오드 1N60(Ge), 직류 전류계 100mA·300μA, 멀티테스터.
실험방법
① VOM의 저항 측정 레인지를 이용하여 주어진 다이오드의 극성을 살펴본다.
(전류가 잘 흐르지 않는다면 다이오드 극성을 반대로 연결한다. 이 때 전류가 잘 흐르는 상태에서 VOM의 -단자가 있는 쪽이 애노드이다.)
② Si 다이

참고 자료

없음