"ohmic contact" 검색결과 81-100 / 143건

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  [OLED] 중간과제

  OLED 의 구동 전압을 낮출 수 있는 방법을 써라. - Metal과 유기물 계면 사이에 Ohmic contact을 만들어 전하주입 장벽을 낮춰서 구동전압을 낮출 수 있다. - ETL과 ... 따라서 charge trapping emission에서는 doping concentration을 charge balance와 self-quenching이 최소가 되게 적절히 조절하여 ... Luminance, 색좌표(color coordinates), Lifetime, spectrum (b) OLED lighting: JV(current density vs. voltage

  리포트 | 1페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  삼성전자 반도체사업부(SYSTEM.LSI, Memory) 기술면접(PT면접)용 대비 자료모음

  . - 과잉소수캐의 상대적인 일함수 차이에 따라, ohmic contact 또는 rectifying contact을 가질 수 있습니다. ? ... n-type 반도체의 경우에는 금속의 일함수보다 n-type 반도체의 일함수가 큰 경우에 ohmic contact, 반대의 경우에 rectifying contact을 나타냅니다. ? ... p-type 반도체의 경우에는 반대로 금속의 일함수보다 p-type 반도체의 일함수가 작은 경우에 ohmic contact, 반대의 경우에 rectifying contact을 나타냅니다

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.27

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  Display industry such as CRT, LCD, PDP and OLED의 논문분석에 대한 리포트

  contacts to organic crystals 　 Stage3 : Operation prototype States Title Section Contents Remark 3 Operating ... OLED In 1960, Martin Pope and co-workers at New York University developed ohmic dark-injecting electrode ... OLED display market will grow rapidlycally charged Experiment to show that cathode rays could be deflected

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.24 | 수정일 2014.05.25

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  홀이펙트, 두께측정법

  （즉，sample의　내부에　빈공간이　없다） 그림과　같이　두께가　d인　시료의　가장자리인　임의의　곳에　ohmic contact A, B, C,　D를　취한다．A에서　B로　전류　I를　흘렸을 ... 　mobility가　결정될　수　있다는　것을　보였다． １．contact가　sample의　경계에　있다 ２．contact가　충분히　작다． ３．sample의　두께가　일정하다． ４．sample의 ... 　표면이　singly connected　되어　있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.03.23

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  반도체 제조공정 이론 정리

  Silicide / Policide Silicide Si 표면에 금속을 증착시켜 반응시켜 소스와 드레인 contact 저항성분을 감소시켜주는 공정을 Silicide라 한다. ... Si과 금속간 접촉에서 중요한 전기적 특성 Ohmic Contact 만족, V=IR에 따라 전류의 방향에 관계없이 저항이 일정해야 한다. 또한 기본적 저항이 낮아야 한다. 45.

  시험자료 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17

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  DRAM Technology

  BL contact - contact hole size(S F) - alignment tolerance(d) - contact hole height (h3 h2 h1) - ohmic ... SN and SN - Free from not open Key parameters for SN contact - contact hole size (S F) - alignment tolerance ... SN cont. landing pad P-sub P-well STI Capacitor Considerations for BL contact - Free from the NOT open

  리포트 | 88페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.06.08

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  Hall effect

  Ohmic contact은 N-type 쪽에 doping 농도를 더욱 높힘으로써 경계의 barrier의 폭을 크게 줄여서 electron이 tunneling할 수 있도록 만든 것이다 ... 따라서 N-type 반도체임을 알 수 있다. ▷ hall effect measurment system 결과에서 전류가 bias 방향에 관계없이 동일하 게 흐르므로 Ohmic contact이다 ... × 1013 cm-2 · ( ρ = 저항율 , mobility μ는 스칼라함수 ) = = 1.5039 × 103 cm2/V·s · σ = ( σ = conductivity ) =

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.26

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  적색 LED Review

  Bonding metal GaInP ESL p-GaP MQW Si wafer n-AlGaInP p-AGalInP n-GaAs contact Bonding metal p-GaP MQW ... Si wafer n-AlGaInP p-AGalInP n-GaAs contact Bonding metal GaAs p-GaP MQW Si wafer n-AlGaInP p-AGalInP ... layer p-GaP MQW Si wafer n-AlGaInP p-AGalInP GaInP ESL n-GaAs contact Bonding metal GaAs sub Wafer bonding

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.14

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  반도체공학 프로젝트 보고서 입니다.

  (Hints: Pierret textbook 14.3.2 ohmic contacts 참조) Ohmic contact를 형성하는 것이다. ... 생성된 electron들은 contact에서 external circuit으로 jump하여 외부로 이동하게 되고, 이 전자들은 n-side로 이동하여 다시 n+ region으로 jump한다 ... µp 880 cm2/V-s 386 cm2/V-s 250 cm2/V-s 그림3.7 Dn 67.34 cm2/ s 30 cm2/ s 18.13 cm2/ s Dn = µn (kT/q) Dp

  리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.07.13

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  Hall effect 측정 실험

  실험과정 1) sample의 네 모서리에 ohmic contacts를하여 준비한다. 2) sample을 sample connect board에 삽입한다. 3) START MEASUREMENT를 ... 홀 전압 15 4. 2. 2. charge carrier concentration(bulk concentration) 15 4. 2. 3. 표면저항 15 4. 2. 4. ... 길이 L [cm] 2. 폭 W[cm] 3. 두께 t[cm] 측정을 위해 외부에서 인가하는 바이어스 측정을 위해서 홀 측정용 시료에 인가하는 바이어스는 다음과 같다.

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.04.15

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  [전자회로실험] MOSFET 소스 공통 증폭기 예비보고서

  이와 같이 I-V 특성이 선형으로 나타나는 금속-반도체 접합을 ohmic contact라 한다. ... . ◆ 오믹 접촉(ohmic contact)이란? ☞ 금속과 반도체의 접합에서는 두 재질의 일함수의 차이에 따라 전류-전압 특성이 달라진다. ... RS에 걸리는 교류 신호 전압은 RS 양단에 바이패스 커패시터 C1을 연결하면 제거될 수 있다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.10.05

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  현대인의 생활영양

  Approach to solution 그래핀 트랜지스터의 ohmic contact 문제를 생각해볼 수 있다. ohmic contact은 I-V 곡선이 일반적인 옴의 법칙(V=IR)을 ... 반도체와 금속간의 접촉에서도 이러한 현상이 나타나는데, 반도체의 종류와 금속과 반도체의 상대적인 일함수 차이에 따라, ohmic contact 또는 rectifying contact을 ... 우선 기판과 그래핀의 contact 문제를 생각해볼 수 있으며, 그래핀이라는 단층의 탄소층을 얻기 어렵다는 점이 있다. 2차원 면인 그래핀은 소스와 드레인을 연결할 경우 edge부분의

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.22

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  신규시장 REPORT SOLAR 산업

  contact 형성 - 후면의 Al이 BSF[Back Surface Field, 후면전계] 형성 - impurity gettering - 열처리 공정중에 SiNx 막 내부의 수소가 ... Metallization Flow Chart SOLAR 전지 제조공정 및 장비 Fast Firing Furnace - 전면의 Ag가 AR Coating을 뚫고 pn junction과 ohmic ... 통로가 됨 - 벌크형에 비해 효율은 낮지만 가격이 1/5 수준 - 흐린 날에도 사용할 수 있으며 유연하고 반투명으로 제조 가능 SOLAR 전지 이해 유기 폴리머 태양전지 - 공액(conjugated

  리포트 | 36페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.12

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  ohmic과schottky 접합의 특징과 비교

  서로 다른 종류의 물질을 접촉시킨 경우의 I-V특성은 크게 ohmic contact과 rectifying contact으로 나누어 살펴볼 수 있습니다. 1) Ohmic contact은 ... (아래 그림에서 ohmic contact으로 표시) 2) Rectifying contact(또는 Schottky contact)은 I-V곡선이 옴의 법칙에서 벗어나, 특정한 방향으로만 ... I-V 특성이 선형으로 나타나는 금속-반도체 접합을 ohmic contact라고 하며 반도체 부품의 리드 프레임을 연결할 때에 사용되는 접합이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.20

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  Thermal Evaporation법을 이용한 박막 제조 및 Hall Effect 전기적 특성 (결과레포트)

  그리고 ohmic contact를 붙일때 인두로 인듐을 확실히 녹인 후 기판위에서 완전히 녹여 붙이고 산모양으로 당겨 올린 후 얇게 잘 퍼지도록 잘 눌러주어야 한다. ohmic contact를 ... 붙일때 울퉁불퉁하거나 제대로 펴지지 않으면 실험시 contact fail이 일어날 가능성이 있다. ... (bonding은 Ohmic Contact:저항성 접촉이 이루어지기 위한 것으로 indium을 사용하였다.) ◎ System POWER On 본 장비는 정밀계측장비 이므로 모든 측정은

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.28

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  Hall Effect에 의한 전기적 특성분석(결과)

  박막층을 만지게 되면 일부가 떨어져 나올뿐 아니라 지문 등이 묻게 되어 전류의 흐름을 방해하여 측정이 제대로 안될 수 있다. - 그리고 ohmic contact를 bonding할 때 ... (bonding은 Ohmic Contact:B 1.000T D 0.010um Mobility(μ) [cm2/Vs] 2.143E+1 Resistivity(ρ) [Ω㎝] 5.647E-4 ... 인두로 녹여 붙인후 빠르게 처리하지 않으면 일부가 굳게되어 균일하게 붙지 못하게 되어 contact시 fail이 생길 수 있기 때문이다. - 장치를 이용하여 측정을 실시할때에 사용되는

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.11

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  태양전지 DSSC (Dye Sensitized Solar Cell) 원리, 이론, 동향, 특허, 논문 정리 ppt

  쌓이 면 광전효율 감소 반도체입자 - 전해질 계면 반응 투명전극 - 나노입자 계면 ohmic contact 투 명전극 CB VB n-type 반도체 (TiO 2 ) dye h v ... 4.6 30x30cm 집전그리드형 STI 10x17cm - 87x57cm Z 형 중구구플라즈마 물리연구소 15x20cm 6.0 40x604cm 집전그리드형 Fh -ISE 30x30cm ... 3 - + e - C.E. → 3 2 I - + C.E .

  리포트 | 50페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24

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  TFT의 동작원리

  - 비정질 실리콘(a-Si:H)과 금속의 Ohmic contact를 가능하게 함 *채널이동도 비정질 실리콘 박막을 운반자의 채널로 사용하여 TFT소자를 제작할 수 있다. ... 에 전기전도도가 우수해야한다. 3. n+ a-Si:H (n+ contact layer) ?? ... 그 뒤 Ohmic 접합을 위하여 n+ 박막과 금속을 차례로 증착하고 Source와 Drain 전극을 형성하면 Bottom 게이트형의 TFT가 완성된다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.11

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  PN 다이오드공정설계

  oxide thick = 0.9 # n+ diffusion for ohmic contact - cathode deposit oxide thick=0.7 div = 4 etch oxide ... 또한 Anode(p+) 영역에서 Cathode(n+: Ohmic contact) 영역으로 전류가 흐를때 Buried Layer 가 없으면 n+역역의 가장자리로 전류 밀도가 높아지게 ... 이 때문에 Ohmic Contact이 깨지게 된다.

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  다결정 실리콘 박막 트랜지스터

  : Ohmic contact이 나쁠 경우linear region에서 parabolic curve 가 나타나게 된다. - Kink effect Short channel의 경우 drain ... 도핑 농도가 임계값(N*=NT/L) 이상 도달시 트랩들이 모두 채워지고 장벽 높이가 charge neutrality에 의해서 다시 낮아진다(그림 7.2(c)). ... 결정경계에서의 트랩 밀도가 ~ 1012 cm-2 인 다결정 실리콘에 도핑을 1017 cm-3 정도 했을 경우 공핍영역의 넓이는 수십 나노미터(nm) 정도이며 전하운반자(carrier

  리포트 | 39페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.28

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