"Power-gating" 검색결과 21-40 / 923건

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  [영문]전자공학응용실험 - 소스팔로워 / 공통소스 증폭기 예비레포트

  Experiment equipment : 1) DC Power Supply : DC Power Supply is the most basic experimental equipment ... Common Gate Amplifier 2. ... that generates DC power and supplies it to the circuit. [1] 2) Multimeter : A multimeter is a multifunctional

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.20

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  실습 12. Stopwatch 설계 예비보고서

  실습준비물 부품 Inverter 74HC04 : 8개 NAND gate 74HC00 : 3개 NOR gate 74HC02 : 3개 AND gate 74HC08 : 3개 OR gate ... 5% : 21개 Switch : 2개 커패시터 100uF : 2개 사용장비 오실로스코프(Oscilloscope) : 1대 브레드보드 (Bread board) : 1개 파워서플라이 (Power ... 설계실습 계획서 설계실습 방법에 나온 Stopwatch 제작 과정 중, 12-4-1 ~ 12-4-4 에 필요한 회로 결선도를 그리시 오.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.19

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  [A+]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 논리함수와 게이트 예비보고서

  실험준비물- 사용장비오실로스코프 (Oscilloscope) 1대브레드보드 (Bread board) 1개파워서플라이 (Power supply) 1대함수발생기 (Function generator ... 74HC02 1개XOR gate 74HC86 1개7-3. ... ) 1대점퍼선 다수- 부품스위치 2개AND gate 74HC08 2개OR gate 74HC32 1개Inverter 74HC04 2개NAND gate 74HC00 1개NOR gate

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.02

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  시스템 반도체 DDI 발표 레포트

  Gate IC, 세로에 Source IC 여러 개 부착 별도의 Power IC, Memory IC 필요 T-CON : AP 명령 - DDI 가 제어할 수 있는 신호로 변환 모바일 ... DDI Gate/Source/Power/Memory 기능을 모두 칩 하나에 넣은 1 chip DDI 3 . ... DDI 작동 원리 Gate IC / Source IC 로 구성 Gate IC : 서브 픽셀 On/Off 제어 Source IC : 서브 픽셀 신호 조절 - 색상 구현 판넬 DDI 가로에

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.02.27

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  [전자회로실험2]보고서3주차-Digit Logic

  MOSFET은 소자가격이 비싸지만, 열 안정성이 좋고 Switching이 빠른 속도로 일어난다. input이 크게 일어나서 전력이 적게 들기 때문에, Low power application이나 ... 실험기기 직류전원 2N7000 (n-MOSFET), BP170P (p-MOSFET)) 멀티미터 가청주파수발진기 오실로스코프 실험결과 -NAND GATE와 NOR GATE의 입력전압과 ... L->0V, H->5V ,( V_DD=10V일 때) -NAND GATE 실험결과 VA VB VOUT 5V 0V 10.002V 5V 5V 0.0478V 0V 5V 10.002V 0V

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.26

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  전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)

  Connect VIN, VCC to DC power supply. 3. ... 분석 및 토의 -MOSFET 기본 구조: Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할 Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 ... Gate에 걸린 양의 전압으로 인해 전자들이 Gate 쪽으로 모이게 되고 Source쪽에 Channel이 형성된다. 4.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25

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  기초신소재 트랜지스터 특성 레포트

  전류계는 무시해도 되며, Gate전극에 variable power를 연결 할 것이다. 14. ... 회로에서 2N5458 트랜지스터의 gate단자는 variable power source의 ?supply단자에 연결하고, source단자는 ground에 연결한다. ... 이 실험으로 생각해보았을 때 LED는 gate에서 전류를 제어하지 않으면서 전류를 증가시키면 켜지고 공급전류를 일정히 유지하면서 gate에서 전류를 제어하면 꺼지는 것 같다. 3-2

  리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.04.29 | 수정일 2020.10.04

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  [아날로그 및 디지털 회로 설계실습] 예비보고서12

  설계 실습 계획서 3.1 설계 실습 방법에 나온 Stopwatch 제작 과정 중, 12-4-1 ~ 12-4-4에 필요한 회로 결선도를 그리시오. ... 100uF 2 개 사용장비 오실로스코프(Oscilloscope) 1 대 브레드보드 (Bread board) 1 대 함수발생기 (Function Generator) 1 대 파워서플라이 (Power ... 실습 준비물 부품 Inverter 74HC04 8 개 NAND gate 74HC00 3 개 NOR gate 74HC02 8 개 AND gate 74HC08 3 개 OR gate 74HC32

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.14

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  아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 결과보고서2 SMPS

  아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 -실습 2 결과보고서- Switching Mode Power Supply (SMPS) 학 과 : 담당 교수님 : 제출일 : 조 : 학번 / 이름 ... 연결하여 스위칭 신호를 boost converter에 인가하였다. ③ 입력 전원 Vi 에 Power supply를 이용하여 전원을 넣는다. ... 그리고, 실제로 위의 사진에서 출력으로 나오는 구형파를 확인해보면, 일정 주기를 가지며 power가 on 되는 모습을 확인할 수 있다. ③ 주어진 성능을 만족하는지 확인한다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.09.05 | 수정일 2023.10.24

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  [중앙대 아날로그및디지털회로설계실습]설계실습2(Switching Mode Power Supply(SMPS)) 결과보고서

  (PWM의 6번핀을 MOSFET의 GATE에 연결함.) ③ 입력 전원 Vi에 Power Supply를 이용하여 전원을 넣는다. ... (PWM의 6번핀을 MOSFET의 GATE에 연결함.) ③ 입력 전원 Vi에 Power Supply를 이용하여 전원을 넣는다. ... PWM 제어회로의 펄스파 출력을 Buck Converter의 MOSFET의 Gate에 연결하였다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.08.11

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  [A+] 중앙대 아날로그 및 디지털회로 설계실습9 4-bit adder 회로 설계 예비보고서

  ) : 1대 브레드보드(Bread board) : 1개 함수발생기(Function generator) : 1대 파워서플라이(Power supply) : 1대 점퍼선 : 다수 9-3. ... gate 74HC08 : 5개 OR gate 74HC32 : 5개 XOR gate 74HC86 : 2개 LED : 10개 switch : 10개 사용장비 오실로스코프(Oscilloscope ... 실습 준비물 부품 저항 330Ω, 1/2W, 5% : 10개 Inverter 74HC04 : 4개 NAND gate 74HC00 : 5개 NOR gate 74HC02 : 5개 AND

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.06

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  캡스톤 발표 자료

  Reference [1] STFET-Based Robus 7T SRAM Cell for Low Power Application. ... Conclusion PROCESS 01 INTRODUCTION TFET has emerged as one of the promising candidates for ultralow-power ... Modeling HOW TO MODEL TFET As we said proposal presentation, TFET is a promising candidate for ultralow-power

  리포트 | 17페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.06.22

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  Semiconductor Device and Design - 13~14__

  Power consumption is high and Switching speed is low. 1. ... Semi custom 1) Gate array ▶ Basic logic gate such as NAND and NOR, or metal Routing, which regularly ... Semi custom 1) Gate array ▶ Advantage : Since only metal mask Process is required, Turn around time is

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22 | 수정일 2023.06.25

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  실습 11. 카운터 설계 예비보고서

  실험준비물 부품 JK Flip Flop 74HC73 : 4개 NAND gate 74HC00 : 4개 NOR gate 74HC02 : 2개 AND gate 74HC08 : 2개 OR ... ) : 1대 브레드보드 (Bread board) : 1개 파워서플라이 (Power supply) : 1대 함수발생기 (Function generator) : 1대 점퍼선 : 다수 11 ... gate 74HC32 : 2개 LED BL-R2131H(743GD) : 4개 Switch : 1개 저항 330Ω, 1/2W, 5% : 4개 사용장비 오실로스코프(Oscilloscope

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.19

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  [A+] 중앙대 아날로그 및 디지털회로 설계실습12 Stopwatch 설계 예비보고서

  실습 준비물 부품 Inverter 74HC04 : 8개 NAND gate 74HC00 : 3개 NOR gate 74HC02 : 3개 AND gate 74HC08 : 3개 OR gate ... 100uF : 2개 사용장비 오실로스코프(Oscilloscope) : 1대 브레드보드(Bread board) : 1개 함수발생기(Function generator) : 1대 파워서플라이(Power ... 설계실습 계획서 12-3 설계실습 방법에 나온 Stopwatch 제작 과정 중, 12-4-1 ~ 12-4-4에 필요한 회로 결선도를 그리시오.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.06

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  9. 4-bit Adder 회로 설계 예비보고서 [2021년도 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 A+ 자료]

  board) 1개 파워서플라이 (Power supply) 1대 함수발생기 (Function generator) 1대 점퍼선 다수 9-3. ... 실습준비물 부품 저항 330Ω, 1/2W, 5% 10개 AND gate 74HC08 5개 OR gate 74HC32 5개 Inverter 74HC04 4개 NAND gate 74HC00 ... 5개 NOR gate 74HC02 5개 XOR gate 74HC86 2개 LED 10개 switch 10개 사용장비 오실로스코프 (Oscilloscope) 1대 브레드보드 (Bread

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.06

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  [예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 래치와 플립플롭

  1개파워서플라이 (Power supply) : 1대함수발생기 (Function generator) : 1대점퍼선 : 다수8-3. ... 실습 준비물부품NAND gate 74HC00 : 6개Inverter 74HC04 : 3개사용장비오실로스코프 (Oscilloscope) : 1대브레드보드 (Bread board) : ... 8-1. 실습 목적순차식 논리회로의 기본 소자인 래치와 플립플롭의 여러 종류에 대한 기능의 차이를 알아보고 동작 조건을 확인한다.8-2.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.23

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  ISSUES OF HEMTs, 반도체

  often used for both low-noise and low-power pHEMTs (b) Shows a layer design with two electron supply ... 204 GHz for a 0.18쨉m gate transistor InP HEMTs InP HEMTs have been widely investigated for applications ... Low Noise InP HEMTs fT = 396GHz for a 0.025 쨉m [87] Low Noise InP HEMTs Fmax = 600GHz for a 0.1 쨉m gate

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.11 | 수정일 2019.10.13

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  홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서

  M2 NMOS TR의 gate에 적절한 bias를 인가하고, Drain전압이 Overdrive voltage 이상이 되면(이하 Vov) M2는Current-Source처럼 사용 가능하다 ... (가능한 Power 소모가 최소화되게 MOS W/L size를 설정할 것. ... 따라서 옴의 법칙을 따르지 않는 Current-Source를 부하에 배치함으로써 이러한 문제를해결할 수 있다.

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.01.16

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  실습 9. 4-bit Adder 회로 설계 예비보고서

  ) : 1대 브레드보드 (Bread board) : 1개 파워서플라이 (Power supply) : 1대 함수발생기 (Function generator) : 1대 점퍼선 : 다수 9 ... 레벨이 높을수록, 지연이 더 크기 때문에 2-level로 되면 좋다. (D) XOR gate를 이용하여 보다 간소화된 다단계 조합 논리 회로를 설계한다. ... gate 74HC08 : 5개 OR gate 74HC32 : 5개 XOR gate 74HC86 : 2개 LED : 10개 switch : 10개 사용장비 오실로스코프(Oscilloscope

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.19

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