• LF몰 이벤트
  • 파일시티 이벤트
  • 서울좀비 이벤트
  • 탑툰 이벤트
  • 닥터피엘 이벤트
  • 아이템베이 이벤트
  • 아이템매니아 이벤트
  • 통합검색(866)
  • 리포트(852)
  • 시험자료(9)
  • 자기소개서(3)
  • 논문(1)
  • 서식(1)

"VBE" 검색결과 1-20 / 866건

  • 엑셀파일 엑셀 VBE 단축키
    단 축 키 일 람 표 ※Excel의 단축키 Alt + F8메크로 메뉴의 실행Alt +F11Visual Basic 편집기를 기동한다 ※코드 윈도의 단축키 Alt + F11Excel을 기동한다Ctrl +PgUp한 화면 위로 Alt + Q종료하고 Excel로 돌아간다Ctr..
    서식 | 1페이지 | 300원 | 등록일 2014.03.10
  • 파워포인트파일 NPN PNP BJT Gummel PLOT IC VCE VBE 전류전압특성 내부커패시턴스 대역폭 반도체 소자분석 Bandwidth pspice
    gummel IB-VBE IC-VBE NPN Model parameters* Description Units Default ------------------------------- ... 990 0.9524 2.148 3.41 4.708 6.028 1000 0.9527 2.148 3.411 4.709 6.029 프로브스테이션과 소자분석기로로 구한 값 IC IB IC-Vbe
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.08
  • 워드파일 BJT I-V Characteristics 결과보고서
    BJT VBE-IC 특성 위와 같이 회로를 설계할 수 있다.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.19
  • 한글파일 트렌지스터 보고서
    [그림.1.4] 트랜지스터의 IC-VBE 특성 1. ... 시뮬레이션 결과 위의 회로 해석과 같이 X축인 VBE 전위에 대한 콜렉터전류를 나타내는 시뮬레이션이다. ... 제 출 일 : 목 차 14.1장 트랜지스터의 VCE-IC 특성 · · · · · · · · · · · · · · · · 2 14.2장 트랜지스터의 IC-VBE 특성 · · · · ·
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.29
  • 파일확장자 (A+)중앙대학교 전자회로설계실습 5 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로
    βforced (=βsat), VCE(sat), VBE(sat)... ... PSPICE simulation 시 LED를 저항으로 대체)7-1 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면 βforced (=βsat), VCE(sat), 그리고 VBE
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.02 | 수정일 2022.03.03
  • 파일확장자 트랜지스터 실험 보고서_반도체 Diode, 역방향 bias, 순방향 bias, base, collector, emitter, ohm's law
    회로를 구성하고 VBE를 조절하면서 회로에 흐르는 전류 IB의 크기를 측정하여 이를 graph로 나타내었다.
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.11.26
  • 워드파일 [중앙대 전자회로설계실습 5 예비보고서] BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로
    BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면 βforced (=βsat), VCE(sat), 그리고 VBE(sat)를 얼마로 설정해야하는가? ... (B) 구동신호(VIN)가 5 V (High)일 때 LED가 OFF되도록 VCE(sat), VBE(sat) 을 이용하여 R1을 구한다. 이때의 소비전력을 구한다.
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.09
  • 워드파일 전자회로실험 A+ 7주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)
    또한 몇 번의 반복으로 VBE을 확정하려면 VCC-VBEVBE보다 커야 한다. 실험 결과를 통해 각각의 biasing 모델에 대한 장점과 단점을 확인할 수 있었다. ... VBE의 변화에 민감하다는 것을 알 수 있다. 3) Resistive Divider Biasing with Emitter Degeneration -RE가 VBE의 변화를 흡수하기 때문에 ... 분석 및 토의 -Biasing BJT는 VBE와 VCE의 관계에 따라 네 가지 모드로 나뉜다.
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25
  • 워드파일 트랜지스터 기초실험 결과보고서
    전원전압(VCC) [VCC=0] 예상값[V] 측정값[V] VBB 0 VBE 0 VCE 0 VCC 0 [VCC=5] 예상값[V] 측정값[V] VBB 0 VBE 49.762n VCE 5 ... VCC 5 [VCC=10] 예상값[V] 측정값[V] VBB 0 VBE 99.267n VCE 10 VCC 10 [VCC=15] 예상값[V] 측정값[V] VBB 0 VBE 148.771n ... 트랜지스터 베이스전압(VBE) 3. 트랜지스터 컬렉터전압(VCE) 4.
    리포트 | 23페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.09.25
  • 워드파일 실습6. Common Emitter Amplifier 설계-에이쁠-예비보고서
    여기서 “충분히 작을” vbe의 조건은 vbe ... 식으로 나타내면 VO=VCC-IC*eVbe/VT 인데, 여기서 두번째 항의 vbe가 VT에 비해 충분히 작다면 1+vbe/VT 로 근사 될 수 있다. ... 따라서, VC=2VE이고 VE=VC/2=3.405V Active region에서는 VBE=0.7V이므로 VB=VE+0.7V=4.105V RE=VE/IE=3.405/1.038=3.280k옴
    시험자료 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.04
  • 한글파일 전자회로실험 실험3. BJT 증폭기 예비 보고서
    삼각 파형의 소신호 vbe가 직류 전압 Vbe에 중첩되어 있다. 이것은 또한 삼각 파형이고 직류 전류 Ic에 중첩된 컬렉터 신호 ic를 야기한다. ... 여기서 ic=gmvbe이며, gm은 바이어스 점 Q에서 ic-vBE 곡선의 기울기이다. ... 신호 진폭을 증가시키면 컬렉터 전류에 vbe가 비선형으로 관계하는 성분들이 생길 것이다. 3.
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.06
  • 워드파일 23. 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로
    [직류 해석] VCC=IB1RB+VBE1+VBE2+IE2RE=(RB+βDRE)IB1+VBE1+VBE2 IB1=VCC−VBE1−VBE2/(RB+βDRE) IE2≃IC2=β2IB2=β2IE1 ... 실험 결과 달링턴 이미터 플로어 회로 IB=VCC−VBE1−VBE2/(RB+βDRE)=0.03mA IE=βDIB=135mA VE=IERE=6.9V VB=VE2+VBE1+VBE2=8.3V ... =β2(β1IE1)=β1β2IB1=βDIB1 VC1=VC2=VCC VE2=IE2RE VB1=VCC−IB1RB=VE2+VBE1+VBE2 VCE2=VC2−VE2=VCC−VE2 [교류 해석
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.14
  • 워드파일 실습5.MOSFET와 BJT를 사용한 구동회로 설계_에이쁠_예비보고서
    가장 비슷한 상황이 IC=10mA인 경우이므로, 그때의 값을 이용하면 VCE(sat)=0.2V이고 VBE(sat)값은 최소 0.65V에서 최대 0.85V값을 가지므로 적절하게 VBE ... 따라서 VBE=0.8V 이므로 R2양단에 걸리는 전압은 5-0.8=4.2V이다. ... 3.0 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면 βforced (=βsat), VCE(sat), 그리고 VBE(sat)를 얼마로 설정해야 하는가?
    시험자료 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.04
  • 워드파일 중앙대 전자회로설계실습 (예비) 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 A+
    (B) 구동신호(VIN)가 5 V (High)일 때 LED가 OFF되도록 VCE(sat), VBE(sat) 을 이용하여 R1을 구한다. ... BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면 βforced (=βsat), VCE(sat), 그리고 VBE(sat)를 얼마로 설정해야 하는가? ... 따라서 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면 βforced (=βsat) =10, VCE(sat)= 0.2V, VBE(sat) = 0.8V 로 설정해야 한다
    리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.04.09
  • 한글파일 전자회로실험 제11판 예비보고서 실험9(BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스)
    문제 a 회로도 초록색(Vrc) , 빨간색(Vbe) Vbe(예상값) = 0.694V Vrc(측정값) = 8.887V a. d. 2N4401 트랜지스터로 실험한 결과 문제 a 회로도 ... 초록색(Vbe) , 빨간색(Vce) Vbe(계산값) = 0.662V Vce(계산값) = 10.079V (2) 고정 바이어스 구조 1. beta `=` {I _{C}} over {I ... 그 다음 VBE와 VRC를 측정하라. 측정한 저항값으로 동일한 식을 이용하여 IB와 IC를 계산하라. 이때 2N4401 트랜지스터에 대한 β값을 결정하라.
    리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19
  • 워드파일 트랜지스터 기초실험 예비보고서
    ] 예상값 VBB 15V VBE 671.215mV VCE 17.29mV VCC 0V IB 1.433mA IC -78.59uA 0.05 [VCC=5V] 예상값 VBB 15V VBE 730.785mV ... IC 22.266mA 24.01 [VCC=10V] 예상값 VBB 10V VBE 744.126mV VCE 136.039mV VCC 10V IB 925.587uA IC 44.836mA ... 48.44 [VCC=15V] 예상값 VBB 10V VBE 756.546mV VCE 164.279mV VCC 15V IB 924.345uA IC 67.345mA 72.86 [VCC=
    리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.09.25
  • 워드파일 실험10. BJT의 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스
    단계 1)에서 결정된 β값을 이용하여 VB, VC, VE, VBE, VCE를 계산하고, 표 10.1에 기입하라. c. ... 전압 VB, VC, VE, VBE, VCE를 측정하고, 표 10.2에 기입하라. 표 10.1과 10.2에서 2N3904 트랜지스터에 대해 계산치와 측정치를 비교하라. ... VB, VC, VBE, VCE를 측정하고, 표 10.2에 기입하라. 2N4401 트랜지스터에 대해 표 10.1과 10.2의 계산, 측정된 결과를 비교하라. g.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01
  • 워드파일 [A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로
    Saturation 모드로 동작하게 되면 충분히 큰 전류 IB가 순방향 다이오드 BE로 흐르므로 VBE(sat) = 0.8V 가 된다. ... BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면 βforced (=βsat), VCE(sat), 그리고 VBE(sat)를 얼마로 설정해야 하는가? ... VB = VF + VBE(sat) = 2 + 0.8 = 2.8V VC = VF + VCE(sat) = 2 + 0.2 = 2.2V (C) R1, R2를 구한다.
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08
  • 한글파일 울산대학교 전자실험결과레포트 8장 BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤한 바이어스 회로
    OMEGA6.75k OMEGA29.84 OMEGA99.78k OMEGA 표 8-1 에미터 바이어스 회로 동작점   VRB(V) VRC(V) VB (V) VC (V) VE (V) VBE ... 9.31   IB(uA) IC(mA) IE(mA) B 2N3904 18.005 4.03 4.16 223.8 2N4401 18.583 4.01 3.67 215.4 트랜지스터 VB=VBE ... 0.619 8.05 7.39 8.05 2N4401 0.655 7.94 9.14 8.06 %B %IC %VCE %IB 3.59 0.49 0.83 3.2 콜렉터 궤환 회로 트랜지스터 VB=VBE
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17
  • 한글파일 BJT IV 특성 실험 레포트
    또한, 입력 특성 역시 VCE의 값에 따라 IE와 VBE가 다르게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 1. ... 또한, 입력 특성 역시 VCE의 값에 따라 IE와 VBE가 다르게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 3. ... VBE는 Base와 Emitter의 전압을 나타내며, VCE는 Base와 Collector의 전압을 나타내게 된다.
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.05.13
  • 레이어 팝업
AI 챗봇
2024년 05월 24일 금요일
AI 챗봇
안녕하세요. 해피캠퍼스 AI 챗봇입니다. 무엇이 궁금하신가요?
5:40 오후
New

24시간 응대가능한
AI 챗봇이 런칭되었습니다. 닫기