트렌지스터 보고서

소개글

트렌지스터 보고서

목차

1장 트랜지스터의 VCE-IC 특성
2장 트랜지스터의 IC-VBE 특성
3장 트랜지스터의 hFE-IC 특성

본문내용

1. 회로의 구성
독립적인 전류원 I1과 트랜지스터 Q1, 직류전압원 V1으로 구성한 트랜지스터의 베이스 전류변화에 따른 콜렉터 전류변화와 트랜지스터의 VCE간의 상호관계를 동시에 분석하기 위한 회로이다.

2. 회로의 해석
베이스전류가 0일 때는 콜렉터전류가 거의 흐르지 않는 차단영역 상태이다가 베이스 전류가 흐르면 바로 VEC간 전위가 매우 작아지며(약 0.2V 수준) 큰 콜렉터전류를 형성하는 포화 영역, 그리고 베이스전류의 크기에 비례하여 콜렉터전류가 선형적으로 변화되는 활성영역으로 나누어진다. 또한 VEC 전위가 일정 큰 값을 넘으면 콜렉터전류가 급격히 증가하는 항복영역이 생성된다.

3. 시뮬레이션 조건
- 메인 DC-SWEEP 해석은 트랜지스터의 콜렉터-에미터간 전위(VCE)를 0V에서 6V까지 0.1V STEP으로 1차 가변상태로 한다. 그러면 x축은 VCE(V1)값이 설정된다.

참고 자료

없음