ZnO thin films were prepared on a glass substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering without intentional substrate heating and then surface..
The electrical and optical properties of fluorine-doped tin oxide films grown on polyethylene terephthalate film witha hardness of 3 using electron c..
Chalcopyrite CuInSe2(CIS) is considered to be an effective light-absorbing material for thin film photovoltaic solarcells. CIS thin films have been e..
Tungsten oxide films were prepared by an electrochemical deposition method for use as the anode in rechargeable lithium batteries. Continuous potenti..
To understand how reactivity between reinforcing nanoparticles and aqueous solution affects electrodeposited Cu thin films, two types of commercializ..
Metal films (i.e., Ti, Al and SUH310S) were prepared in a magnetron sputtering apparatus, and their cross-sectional structures were investigated usin..
GaN is most commonly used to make LED elements. But, due to differences of the thermal expansion coefficient and lattice mismatch with sapphire, disl..
(PDDA/SiO2) thin films that consisted of positively charged poly (diallyldimethylammonium chloride) (PDDA) and negatively charged SiO2 nanoparticles ..
Mn-Zn ferrite를 가공하여 VCR헤드의 제조과정에서 비자성체 gap용 SiO2증착층과 유리와의 접합시 유리내에 기포 형태의 결함이 발생하는 경우가 있다. 기판의 조도나 SiO2의 증착속도의 영향을 분석한 결과, 기포의 생성원인이 SiO2 증착층과 접합유리의 융..
We investigated the electrochemical properties for Langmuir-Blodgett (LB) films mixed with fatty acid (8A5H) and phospholipid (DLPE, DMPC, and DPPA)...
실험 이론 - 박막 크로마토그래피(TLC) 박막 크로마토그래피는 지지체상 위의 미립자 운반체를 고정상으로 하고 용매를 이동상으로 하여 물질을 전개, 분리하는 판이다. ... 제목 : 박막 크로마토그래피(TLC: thin layer chromatography)를 이용한 나프탈렌과 벤조산의 분리 3. ... 실험 목적 : 유기화학실험과정에서 가장 간단하게 생성물의 정제 유무를 확인하는 방법인 박막 크로마토그래피의 절차와 기술을 익히고자 한다. 4.
A new cost-effective atomic layer deposition (ALD) technique, known as Proximity-Scan ALD (PS-ALD) was developed and its benefits were demonstrated b..
방법을 실험방 의하면 저항이 크다는 것을 의미하므로, 높은 RF 전력에서 고분자 박막이 증착된 시편의 부식율이 작음, 즉 고분자 박막의 내식성이 우수함을 나타낸다. ... Pk(%): 내식성 효율 i_coor: 박막이 증착된 시편의 부식 전위에서의 전류밀도 i_coor^0: 박막이 증착되지 않은 시편의 부직 전위에서의 전류밀도 내식성 효율 시험 그래프 ... 전력이 증가할수록 내식성 효율이 증가하는 것을 알 수 있다. 4.2 분석 위의 실험 결과를 통하여 고분자 박막을 증착 시 내식성이 높아지는 것이 확실해졌다.
DLC박막의 표면 평균거칠기(Ra)는 ~1Å정도로 아주 매끈하였으며, 불순물이 내재되지 않는 박막을 얻을 수 있었다. 한국재료학회 한국재료학회지 김대연, 강계원, 최병호 ... 본 논문에서는 음이온 Cs gun으로 DLC 박막을 실리콘 위에 제조하였다. 이 시스템은 가스가 필요없으므로, 고 진공에서 증착이 일어난다. ... Raman 분석결과 박막의 DLC 지수, 즉sp3비율은 이온 에너지 증가에 따라 증가하였으며, 미소 경도값 또한 7에서 14GPa로 증가하였다.
태양전지의 앞면전극으로 사용될 SnO2박막을 spray pyrolysis 방법으로 증착하여 증착조건에 따른 박막 특성을 연구하였다. ... 증착온도가 증가함에 따라 SnO2박막의 우선방위가 (200)면에서 면밀도가 더 높은 (211), (110)면으로 바뀌었고 막의 미세구조도 거칠고 각진 구조에서 평탄한 구조로 변하였다 ... NH4F/Sn=2.3인 용액으로 400˚C에서 증착된 SnO2박막은 약 90%이상의 광투과도를 갖고 균일한 도핑으로 인해 약 4×10-4Ω .cm의 낮은 비저항 값을 나타내었다.
CVD-Cu 박막과의 특성을 비교하였다. seeding 층을 형성한 경우의 CVD-Cu 박막에 있어서 증착 속도가 증가하였으며, grain 크기의 균일성도 향상되는 경향을 보였다. ... 증착된 Cu 박막은 seening에 무관하게 모두 FCC 우선배향인 (111)의 결정배향을 나타냈으며, seeding 우에 성정된 박막의 경우 I111/I200비가 향상되었다. 180 ... Cu 박막의 접착력은 seeding층의 두께가 0Å에서 130Å으 증가함에 따라 21N에서 27N 으로 향상되었다.
LPE방법을 이용하여 InP기판 상에 GaAs이종접합 박막을 최초로 성장하였으며 제반 성장조건들이 박막특성에 미치는 영향을 NDIC광학현미경, SEM, TEM 및 DCXRD 등을 ... 박막 성장 시 Ga성장융액 내에 0.005wt% 정도의 Se을 첨가함으로서 기판의 열융해(meltback)현상이 억제되었고 박막의 표면 거칠기도 현저히 개선되었다. ... 적정 LPE성장온도는 720˚C(냉각속도 0.5˚C/min.)이었으며 성장된 GaAs 박막의 표면형상은 융액 균질화 처리 시 기판을 InP cover웨이퍼로 보호한 경우가 In/InP
박막의 분리가 발생하기 시작하는 경우의 두께를 임계두께로 정하여 스크래치 테스터로 측정된 임계하중과 더불어 박막의 잡착강도값으로 사용하였다. ... 본 연구에서는 플라즈마 화학 증착법으로 기판에 따른 DLC 박막의 접착력 변화를 조사하였다. ... 그 결과 다이아몬드상 탄소박막의 접착강도는 막/기판의 계면에서의 탄화물 형성에 영향을 받으며, 계면에서의 초기산화물층에 큰 영향을 받는것을 확인하였다.
본 실험에서는 저유전율 층간절연물질로서 SiOF박막을 ECR plasma CVD를 이용하여 증착하였다. ... 1.391로 감소하였고 이는 불소 첨가에 의한 박막의 밀도감소에 의한 것으로 생각된다. ... 또한 박막의 유전상수는 가스유량비가 1.0(11.8qt.% F함유)일 때 3.14였다. 한국재료학회 한국재료학회지 이석형, 오경희
