"cvd공정" 검색결과 141-160 / 186건

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  [반도체공정] 화학기상증착

  반응기의 외벽이 공정 중 기판과 같은 온도로 가열되는 형태를 hot wall CVD라고 부르고 반응기의 외벽이 가열되지 않는 형태를 cold wall CVD라고 부른다. ... 조건의 제어 범위가 매우 넓어 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라, PVD법에 비해 훨씬 좋은 step coverage를 제공한다는 점 등이다. ... 특성을 가지는 박막을 원하는 두께로 성장시킬 수 있다. 2) 여러 가지의 화합물 박막의 조성 조절이 용이하다. 3) 기판과의 화학반응에 의해 박막이 형성되므로 단차피복성(step coverage

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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  Mosfet DC Characteristics and bias 실험예비레포트

  ID, VG, VS, 그리고 VD를 측정한다. 측정된 ID와 VG, VS, VD의 피크 값을 표 5-3에 기입한다. 7. ... 100KΩ(2), 6.8KΩ(2) 1 브레드 보드 1 MOS CD4007 1 신호발생기 1 Capacitor 10uF 1 VOM 1 다이오드 1N4001 ■ 이론요약 (1) DC characteristic ... 과정에 대해 0.5UnCOX의 값은 상수이므로 (0.1um의 산화물 두께를 갖는 표준 NMOS 공정인 경우에는 약 10uA/v ), 소자의 외형비(W/L)가 소자의 도전율 파라미터

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.24

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  지간이 40.5m인 합성라멘교의 설계

  지간이 40.5m인 합성라멘교의 설계 2010년 12월 목 차 제 1 장 서론 제 2 장 합성라멘교의 이해 2.1 합성라멘교의 기본형식 2.2 합성라멘교의 특징 2.3 합성라멘교의 공정단계 ... )　 ㆍ가로보 제원 : H-600X200X11X17 ( SM400 ) ㆍ단부 슬래브 : 0.300 m - 난간 높이 : 0.400 m ㆍWD = 1.055 kN/m ㆍ전단력 : VD ... (외측) 단면 C-C(내측) CB1 CB2 3.5 모델링 지간이 30.5 m 일 때 지간이 40.5 m 일 때 3차원 평면도 3.6 경계조건 입력 경계조건으로는 지간이 30.5m와

  리포트 | 37페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.03.12

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  Active loaded MOS Amp를 이용한 DC 및 소신호 특성

  기초 이론 (1) PMOS loaded NMOS driver (Inverter) CMOS 공정에 의해 구현된 CMOS-inverter의 전달특성(입력전압 대 출력전압 특성)은 저항을 ... 크기에 따라 결정되는 ac 소신호의 증폭은 당연히 커지게 될 것이다. (2)CMOS inverter를 대신하여 MOSFET의 게이트와 드레인을 서로 연결하면 MOSFET은 VC=VD ... 단점 :Low speed(esp. for large C) 게이트 구동 전압 고려사항 ?

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.06

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  귀금속의 산업활용처

  시안 침출은 상온 또는 고온에서 행하는데 고온 침출은 반응속도가 빠르지만 시안의 분해가 증가하므로 50°C 이하에서 조업을 행한다. ... 단결정의 종류와 도가니 재료단결정 종류 제조법 주요용도 도가니재료 Al2O3 CZ / VD 기판, 장식 이리듐, 텅스텐 훼라이트 B / VD / F 자기베드재료 백금 / 백금-로듐 ... LiNbo3/니옵산리튬 CZ 표면탄성파소자 백금 여기서, CZ : 인상법 VD : 화담용매법 B : 브리지맨법 F : 용재법 - 백금, 백금-로듐의 도가니는 고온에서 산화성 분위기에

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.18

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  [반도체][ppt 자료] 박막 증착 방법

  R2 t0 R2 t2=t1cosφ 미소 면적 증발체로부터 같은 거리에 있는 기판상의 박막 두께 t2는 t2=t1cosφ 식을 만족. ... 위의 방법을 사용하여 아르곤의 양이온으로 웨이퍼의 Sputtering 및 cleaning을 할 수 있다. ... 좋은 step coverage를 가져야 함. 증착된 부분에 빈 공간(void)이 없어야 함. 평평하게 된 박막이 필요.

  리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.10.24

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  IPTV ‘Home Ucc Battle’ 서비스

  VD니, FTTH, STB 인프라 투자 필요 ? Skylife 위성 가입자수 200만명 보유 ? ... 실제로 이 ‘home ucc battle’은 지역과 연령을 불문하고 집에서 ucc를 찍어 올릴 수 있고, 사람들의 평가가 이루어지기 때문에 그 간편함과 공정함으로 유명하다고 한다. ... 규제이슈가 해결되는 시점에 원활히 수급 가능하게 될 것으로 전망 ▶ IPTV 서비스 활성화의 조건 만족함 c.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.28

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  IMID 2008 참관 보고서

  . * 삼성전자 작년에는 삼성전자 VD사업부, LCD 사업부, SDI 부스가 각각 있었으나 올해에는 단일부스로 전시회에 참여했다. ... 이 블루 페이즈 방식을 사용하면 기존의 액정 배향막이 필요하지 않아 공정이 단순화 되어 생산효율이 높아지고, 별도의 기술 없이 240Hz 급의 고속응답 성능의 디스플레이가 가능하다고 ... 표현할 때는 blue LED BLU를 켜줌으로써 더 다양한 색상을 표현할 수 있다. * Nitto Denko 편광필름, 기능성 코팅제품 및 클린룸用 양면접착 테이프 등 디스플레이 공정

  리포트 | 38페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.10

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  MOS

  캐리어는 유전완화시간 인 시간에 응답 실제 표면의 영향 일함수의 차이 n채널에서는 공핍영역으로 될 수 있다(고농도) 계면전하 예) 나트륨이온이 포함될 경우  반도체에 음전하를 유기 공정기술의 ... VG에 대한 관계는 Vp=-VGD(핀치오프)=-VG+VD : 적절한 소자 동작을 위해 VG는 0또는 음의 값을 가진다. ... MISFET(MOSFET) 트랜지스터의 동작 트랜지스터의 정의 : 2단자를 통하는 전류가 제 3단자의 전류 혹은 전압의 작은 변화에 의해 제어 되는 제 3단자 소자 부하선 ID와 VD의

  리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.11

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  OTFT에 관한 개요,정의,최근 연구동향

  저온공정 용이. ... 저온, 공정의 단순화. solution process 회전도포, 잉크젯방법, 스크린 프린트,Dipping. 진공장비 사용의 최소화에 따른 공정 단가 하락. 대면적 공정 용이. ... temperature, deposition rate OTFT의 특성 유기박막트랜지스터의 ID-VD

  리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.13

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  자동제어공학

  NC의 제어방식별 사례 (a) 위치결정제어(드릴링) (b) 직선절삭제어(선반) (c) 윤곽제어(선반) 공작물 공구 공구 공작물 공구 공작물 A B C D E * 4-16. ... 제너다이오드의 특성 그래프 15 10 5 0 1 2 3 vD 10 20 30 15 30 45 iD VZ IZ(min) IZ(max) iZ(mA) iF(mA) vZ(V) 제너 무릎 - ... 공정제어계통요소 유체입구 레벨 전송기 레벨 제어기 유체 출구 제어 밸브 H LT 100 LC 100 LV 100 설정치 제어기 입 력 제어요소 측정요소 공정 출력 외 란 * 3-7.

  리포트 | 150페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.13

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  Heat engine의 기본구조

  (그림. 7) C-D : 피스톤의 압축으로 단열압축하게 됨 D-A : 일정부피에서 점화, 열을 흡수함 A-B : 단열팽창, 일을 함 B-C : 일정부피에서 냉각. ... 나타냅니다. ………… (4) (4)의 식들을 (3)에 대입하면, ………… (5)가 얻어집니다. step BC와 step AD는 단열 과정이므로 작동유체를 이상기체라 가정하면, (VD ... (등 엔트로피 – 가역 공정, 실제 공정 – 비가역 공정) 또한 Turbine을 나가는 유체 내 액체의 비율이 10%미만이면 그리 부식의 문제는 크게 고려되지 않기 때문에 등 엔트로피

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.08

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  유기물 절연체를 이용한 고성능 플렉시블 박막 트랜지스터

  ITO_PET 그림 3 TFT 소자 공정 과정 3. 결과 및 고찰 먼저 I-V curve를 측정하여 소자의 특성을 분석하였다. ... 그림 4 Curve VD 값을 0.5V로 고정 하고 Curve를 나타낸 그림 5 에서 선형영역의 기울기를 통해 x절편 값인 VT의 값이 0.96V 임을 구할 수 있었고, PVP dielectric의 ... 공정을 이용하였다. 1.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.20

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  JFET과 MESFET에 관한 보고서

  동작원리 아래 그림은 N-channel JFET에 직류바이어스를 걸어준 경우이다. ... 즉 Is=ID 라고 할 수 있고, 그러면 근사적으로 드레인 전압 VD=-VGS 라 할 수 있다. 게이트는 역방향 바이어스가 걸려 있으므로 소스에 비해 마이너스이다. ... 그러면 소스전압은 이것을 다시 정리하면, 드레인 전압 VD 는, 그러면 전압이득 A는, JFET Common Drain Amplifier 공통드레인 증폭기는 바이폴라 트랜지스터의 공통

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  TFT-LCD의 특징 및 제작원리

  고온공정 폴리실리콘 TFT 제작 3)이온주입 및 층간절연막 증착 보론과 인을 이온 주입하여 n 채널와 p채널로 이루어진 cmos구동회로를 만들 수 있다. ... Channel Vg Insulator n+ a-Si:H V y Y = 0 Y = L Vs dY dVch 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 동작 원리 in linear region Vd ... 이온 주입을 할 때 top절연막은 비정질 실리콘층의 일부를 가려 ion 주입을 막아 channel층을 보호한다.

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.26

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  FET_기초와 설계자료

  이는 제조에 필요한 공정 단계 및 사용 장비를 줄일 수 있으므로 단가가 싸지기 때문이다. ... 사용조건 : VD= ~12V 이내 , 전류= ~20mA -. 사용방법 : 전압 DRIVER, 고속 Switching ( ~100MHz) -. ... 장점 : Gate 전류가 필요없어 micom dircet drive가능 (저 소비전력 설계가능 ) n-ch, p-ch 2개만으로 BRT전부대치 Vt 문턱전압으로 Noise면역성이 높음

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.27

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  총질소

  이 분석법은 역사가 오래되며, 육안에 의한 색깔의 비교에서 시작되었으므로 넓은 뜻에서 비색분석법(colonimetry)이라고도 부른다. ... 질소의 측정 방법에는 흡광 광도법, IC(이온 크로마토그래피), 전극, NO3를 NO2로 환원하는 실험 방법이 있으며 우리 나라 공정 시험 방법에는 흡광 광도법으로 실험을 하게 되 ... Mg/L NH3–N = VD = 증류액의 mL VDA = 실제 사용한 증류액의 Ml A = 증류액 중 NH3–N의 mg S = 증류액에 사용한 시료의 mL 부피분석법 시료의 암모니아성

  리포트 | 33페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.07.16

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  [박막공학] MOCVD,CVD.VPE

  종류에 따른 분류 : - Inorganic CVD : ex) Halides 화합물 - Metalorganic CVD (MOCVD) : ex) 알킬, 알콕사이드등 유기금속 화합물 ● 공정 ... 기상성장법(CVD)중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체 기판상에 금속화합물을 퇴적, 부착시키는 화합물반도체의 기상성장법. ▣ MOCVD 특징 : Mo source 사용 공정의 ... National University Photonic and Electronic Thin Film Lab. ▣ 할로겐화합물 VPE(halide VPE) 할로겐 화합물 공정 GaAs

  리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  MOSFET 전압-전류 특성 예비레포트

  FET제조 공정이 개발된 초기에는 게이트 전극으로 금속을 사용하여 단면에서의 층을 나타내는 Metal-Oxide-Semiconductor(MOSFET)라 불리었으나 현대의 공정세서는 ... VDS를 증가시킬수록 VD가 증가하므로 드레인과 벌크 사이에는 더 큰 역방향 전압이 걸려 드레인 주변의 공핍층이 커지게 되며 채널의 전류 운반자중 드레인에 가까운 쪽은 고갈되어 드레인 ... , Vt)를 넘으면 그림 3과같이 공핍층에 존재하던 전자들이 게이트에 인가된 양의 전위에 이끌리게 되어 표면에 집적됨으로써 소스와 드레인 사이를 연결하는 자유전자로 이루어진 채널(channel

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.30

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  OLED와 관련업계에 관한 보고서

  /~mtec/asher.html http://mipro.snu.ac.kr/dic/cvd.html http://www.sds.samsung.co.kr/ http://nsr.mij.mrs.org ... 참고문헌 및 웹사이트 박상호, 실리카 식각공정 기술동향 차세대 이동통신 http://www.pointvac.co.kr/samwoo/sun-1.htm http://isrc.snu.ac.kr ... ra=Sent0601m_01A corp=fnnews arcid=0920864147 cDateYear=2006 cDateMonth=11 cDateDay=14 http://blog.naver.com

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.10.07

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