bjt변수추출 pspice시뮬레이션 포함

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목차

트랜지스터 정상 동작 여부 측정
RE 측정
측정값과 simulation값의 비교
RC 측정
측정값과 simulation값의 비교

본문내용

RE 측정
RE(Emitter 저항)은 Emitter를 접지시키고 Collector를 open 시켜 단자의 전류를 0으로 하고Base전류를 가변 시키면서 Collector 전압을 측정하여 Collector 전압과 Base전류의 관계곡선에서 직선의 기울기를 구하여 RE 추출한다.
측정값과 simulation값의 비교
RC 측정
측정값과 simulation값의 비교
RC(Collector 저항)은 RE와 반대로 Collector를 접지시키고 Emitter를 open 시켜서 전류를 0으로 유지하고 Base 에 흐르는 전류를 변화시켜 가며 이미터 전압을 측정한다. 이때 Collector 저항은 중전류 영역에서 IB-VE 그래프를 통해 기울기를 측정하여 얻을 수 있다.
Emitter접지 출력 특성 측정(VAF 추출)
Emitter를 접지 시키고 Base전류를 일정하게 유지한 상태로 Collector 전압을 가변시키면서 Collector 전류의 변화를 측정하면 구할 수 있다. VAF는 IC-VC 그래프의 Active 영역(순방향 동작 영역)에서 축력특성 곡선을 직선으로 근사시켜 연장하여 X축과 만나는 점을 확인함으로서 추출해 낼 수 있다. (음의 값으로 구해진다)
- StaClient에서 Graph tool을 이용하여 X절편을 구함으로써 VAF값을 얻을 수 있었다.
측정값과 simulation값의 비교
순방향 Gummel 특성 측정
IS, NF 측정
IS, NF의 측정은 순방향 Gummel 그래프를 이용한다. 순방향 Gummel 그래프는 Emitter를 접지시키고 Base와 Colletor를 같은 크기로 증가시키며 Base 전류와 Collector 전류를 측정한 그래프이다. 순방향 Gummel 측정 그래프에서 IC 그래프의 선형 영역에 접선을 그어 y축 절편의 값으로 IS를 구하고, 기울기와 한 점을 이용하여 NF를 구할 수 있다.
StaClient에서 Graph tool을 이용하여 Grade와 Y 절편 값을 얻을 수 있고 아래의 식을 통해 NF와 IS의 값을 구할 수 있다.
측정값과 simulation값의 비교

참고 자료

없음