홍익대학교 전자회로2 Term project OPAMP 설계

소개글

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목차

Ⅰ. 서론 : 주어진 샘플값으로 기본적인 특성 도출하기

Ⅱ. 본론
(1) 서론에서 도출한 특성을 바탕으로 W,L 값들을 기본적인 것들로 수정하여 대입해 보기.
(2) M6의 값을 2um으로 변경하고, Cc, Rs의 값도 각각 0.01pF, 0.1KΩ으로 변경하여 M6까지 포화 영역에 들어가게 하여 회로를 구성하기.
(3) Cc, Rs의 값을 각각 0.5pF, 1.5KΩ으로 변경하여 회로를 구성하기.
(4) 인풋옵셋전압을 구하고자 직접 계산을 통해 구한 값들을 포함하여 새로운 값들 대입.
➀ 첫 번째 조건 Ao>60dB 만족 여부 확인
➁ 두 번째 조건 Gain*Bandwidth Product >> 1MHz 만족 여부 확인
➂ 세 번째 조건 3mW 미만의 파워 소비 여부
➃ 네 번째 조건 Input offset voltage < 1mV 만족 여부 확인
➄ 다섯 번째 조건 Phase margin at unity gain(0dB) point > 60degree 만족 여부 확인
➅ Unity Gain Buffer Amplifier(Voltage Follower) 설치하기.
(5) 최종적으로 이득을 높이기 위해 M1, M2의 값들과 Ibias 값까지 변경하여 적용시키기.
➀ 첫 번째 조건 Ao>60dB 만족 여부 확인
➁ 두 번째 조건 Gain*Bandwidth Product >> 1MHz 만족 여부 확인
➂ 세 번째 조건 3mW 미만의 파워 소비 여부
➃ 네 번째 조건 Input offset voltage < 1mV 만족 여부 확인
➄ 다섯 번째 조건 Phase margin at unity gain(0dB) point > 60degree 만족 여부 확인
➅ Unity Gain Buffer Amplifier(Voltage Follower) 설치하기
(6) 안정적인 회로 구현을 위해 fig. 32에서 Rs=3.75KΩ, Cc=0.6pF으로 최종변경 후 관찰.

Ⅲ. 결론

참고문헌

본문내용

MOS 전류 거울의 원리에 입각하여 비율을 정확히 맞추고자 트랜지스터의 사이즈를 설정하여 특정 값의 이득을 내도록 설계하였고, 헤드룸 문제, 클리핑 문제를 방지하고자 peak to peak 전압을 0.1V로 낮추고, Rs와 Cc도 각각 2배, 4배씩 증가시켜 본 결과 이득은 줄어들었지만, 위상 여유가 늘어났음. 즉, 위상 여유가 크고, 차동 증폭기 쪽 이득과 공통 소스 쪽 이득의 차이가 작을수록 안정적인 회로라고 할 수 있음.

참고 자료

SEDRA SMITH 마이크로전자회로 7판, 한티미디