ITOscribingcleaning A+ 레포트 건국대학교 고분자재료과학
- 최초 등록일
- 2023.06.03
- 최종 저작일
- 2018.12
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소개글
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목차
1.실험제목
2.실험조&실험자
3.실험목적
4.실험이론
5.장치 및 시약
6.실험방법
7.참고문헌
본문내용
1. 실험제목 : ITO Scribing & Cleaning
2. 실험조 & 실험자 :
3. 실험목적
◦OLED/PLED/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO glass를 원하는 크기로 자르는 방법을 습득한다.
◦원하는 모양으로 자른 ITO glass의 오염된 표면을 세정하여 소자의 성능 및 수율을 향상시킨다.
4. 실험이론
Pattern 공정을 하기 위해서는 주변의 청정도가 매우 중요한데, 아래 그림에서 보는 것과 같이 Clean room 에서 빛에 노출되지 않는 환경을 구비한 후 공정을 시작하여야 한다.
◦ Cleaning & Wet-Station 의 중요성
모든 반도체 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Glass 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정 공정은 Glass 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서 기판(Glass) 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소장 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정된다.
참고 자료
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