[전자공학실험2] MOSFET 증폭기의 주파수 응답

목차

1. 실험 목적
2. 사용 기기 및 부품
3. 실험 내용 및 결과 분석
4. 연습문제 풀이
5. 결론

본문내용

1. 실험 목적
- MOSFET의 small signal 등가 회로를 사용하여, common source 증폭기의 저주파 및 고주파 차단 특성을 이해한다.
- common source 증폭기를 구성하여 주파수 응답 특성을 해석하고 측정한다.

3. 실험 내용 및 결과 분석
frequency response of CS-Amplifier
① [그림2]의 회로를 구성한다.
② MOSFET의 gate, source, drain단자에서의 직류 전압을 측정하고, biasing이 바르게 되었는지를 확인한다.
③ 신호발생기의 정현파 출력이 주파수 10 kHz, VPP = 50 mV정도가되도록 조절한다. 오실로스코프로 CH1, CH2에서 peak-to-peak 신호를 측정하고, midband gain : K를 측정한다.
④ 신호발생기의 주파수를 10 kHz에서 서서히 낮추면서 Amplifier의gain값이 어떻게 변화하는지를 관찰하고, midband gain(K)의(1/2)½배가 될 때의 lower 3-dB cutoff frequency(fL)를 측정한다.
⑤ 이제는 신호발생기의 주파수를 10 kHz에서 서서히 높이면서Amplifier의 gain값이 어떻게 변화하는지를 관찰하고, higher 3-dB cutoff frequency(fH)를 측정한다.
⑥ 측정한 데이터를 통해 CS-Amp의 bandwidth(B.W)를 계산한다.
⑦ 측정한 데이터를 통해 magnitude response의 Bode plot을 주파수는log scale로, 크기는 dB로 그린다.
⇒예상 : CS Amp의 low/high frequency equivalent circuit을 그려보면[그림1]과 같이 나타난다. low frequency에서는 입력 신호의 주파수가작아지면서 외부에 연결된 커패시터(CG, CD, CS)의 impedance의 크기가커지므로 커패시터가 더 이상 short circuit으로 동작하지 않기 때문

참고 자료

없음