전자공합설계1-이교범

목차

1. 개요
2. 이론 설명
3. 고찰
4. 참고문헌

본문내용

인버터
: 직류(DC)를 교류(AC)로 바꾸기 위한 전기적 장치이며, 적절한 변환 방법이나 스위칭 소자, 제어 회로를 통해 원하는 전압과 주파수를 얻는다. 교류는 시간에 따라 변하는 값을 말하고 크기와 주파수를 가진다. 따라서 이에 따라 출력의 파형을 제어할 필요가 있다. 아래 그림을 보면 직류전압이 입력으로 들어가고 스위치소자를 이용하여 교류전압으로 출력이 된다.

2.1-1. 전력 반도체 스위치의 손실(대표적인 두 가지)
* 전력 반도체 스위치의 손실
전력 반도체는 전력을 변환 · 처리 · 제어하는 반도체를 의미한다. 일반적인 반도체 소자에 비해 대 전류, 고 내압, 고 내열화, 고 신뢰성 등을 필요로 하는 전력 변환 및 제어용으로 최적화된 전력용 반도체 스위치 소자이다. 전력 반도체의 종류로는 다이오드, 트랜지스터, TRIAC, GTO, BJT, MOSFET, IGBT, IGCT 등이 있다, 이 중에서도 대표적인 세 가지 MOSFET과 다이오드 그리고 IGBT에 대해 알아보고 주요한 손실 두 가지에 대해서 파악해보기로 하자.
MOSFET은 gate와 source 사이에 전압을 인가하여 on/off를 결정하고 on 시, 도통 전류에 따라 전압 강하가 변동된다. 단방향 전압을 저지하는 단방향 전류 소자이다. 그리고 다이오드는 on/off 제어가 불가능하다. 그리고 매우 작은 on 방향 전압 강하가 발생하며 MOSFET와 마찬가지로 단방향 전압을 저지하는 단방향 전류 소자이다. 마지막으로 IGBT는 gate와 emitter 사이에 전압을 인가하는 전압 구동형이다. on시 전압 강하는 거의 일정하고 양방향 전압을 저지하는 단방향 전류 소자이다. 이들은 반도체 소자의 특성으로 인해 회로에서 효율을 저하시키는 가장 큰 원인이 될 수 있다. 이 두 소자는 크게 두 종류의 전력 손실을 가지고 있는데 바로 전도손실과 스위칭손실이다.

참고 자료

네이버 지식백과 전력 반도체
위키백과 인버터