[Ispice] PN접합회로 A+자료

목차

1. 실험목적
2. 이론배경
3. 실험고찰

본문내용

1. 실험목적 : pn접합의 기본적인 동작특성을 관찰하고, 순방향과 역방향의 특성과 회로의 직류 특성을 알아본다.

2. 이론배경:pn접합은 모든 집적회로의 구조 속에 자연스럽게 존재하는 기본적인 원칙과 같은 것이다. pn접합의 결과인 다이오드는 매우 유용한 반도체 소자이다. 왜냐하면 전자회로에서 잔류의 방향을 제어 할 수 있기 때문이다. 실리콘 다이오드에서는 전압강하가 약 0.6에서 0.7V이다. 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드가 바이어스될 충분한 전류를 가지고 있다고 가정하고, 0.7V의 전압강하를 가정하였다. 옴의 법칙과 키르히호프의 전압법칙을 사용하여 I = (E-0.7)/R 의 식을 얻을 수 있다. pn접합 간의 전압과 그것을 통한 전류의 관계는 소위 다이오드 방정식이라는 ID=IS(e^(VD/nVr)-1)로 정해지고 ID=다이오드 전류, VD=다이오드 전압, IS = 포화전류, n = 방출계수, Vr = 열전압 = kT/q= T/11600이다.

참고 자료

없음