논리회로실험 예비 9

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 부품
4. 실험 예상
5. 예상 결선도

참고문헌

본문내용

1. 실험 목적
- 반도체 Memory의 기본적인 동작 원리를 알아본다.
- 2bit와 16bit RAM을 구성하여 메모리를 이해한다.

2. 실험 이론
RAM (Random-Access Memory)
RAM은 Random-Access Memory로 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수도 있는 메모리이다. Random-Access란 디스크 파일에 자료를 저장하거나 읽어 들일 때, 찾는 자료가 있는 위치까지 차례로 찾아가는 것이 아니라 메모리 또는 데이터 저장 공간의 어느 부분이라도 직접 접근할 수 있다는 것을 의미한다. 따라서 액세스 속도가 빠르고 자료가 무순으로 입력되더라도 처리가 가능한 장점을 갖는 반면 기억 장소의 사용 효율이 떨어진다는 단점이 있다.
RAM을 나누는 기준엔 리프레시 여부가 있다. SRAM은 플립플롭 방식으로 한 데이터를 한 위치에 쓰고 같은 위치에 다른 데이터를 입력하지 않으면 전원이 공급되는 한 값이 계속 유지된다. 반면, DRAM에서 각 위치에 저장된 데이터는 주기적으로 읽고 다시 값을 쓰는 방법 으로 리프레시 되어야 정보를 잃지 않는다.

참고 자료

Digital Design, John F. Warkerly, Pearson, 2008년
http://acms.ajou.ac.kr/contents/logical_circuit/9W1/default.htm
http://www.learnabout-electronics.org/Digital/dig34.php
두산백과 – 램(RAM) http://www.doopedia.co.kr/doopedia/master/master.do?_method=view&MAS_IDX=101013000864153