아주대학교 전자공학부 CE Amplifier를 사용한 증폭기 설계

목차

1. 설계 목표
2. 설계 지침
3. 설계 이론
4. 고찰

본문내용

1. 설계 목표
- Bipolar Junction Transistor를 사용하여 Amplifier를 설계한다.
A_v 값이 -3, -6, -9, -12 중 택 1인 CE Amplifier를 설계한다.

2. 설계 지침
- CE Amplifier를 설계.
- 필요한 소자 값을 결정(BJT 제품명, 제조회사, 정격 등을 표시)
- 설계된 회로의 Bias 해석
- 설계된 회로의 AC 해석
- Simulation을 행하거나, 실험을 행하여 결과를 제시한다.

3. 설계 이론
- Bipolar Junction Transistor
BJT는 양방향 접합 트랜지스터로서 전자와 정공의 두 가지 캐리어가 전류에 관여하여 그 쌍방의 이동에 의존해 동작하는 트랜지스터이다. BJT의 구조는 기본적으로 3극 진공관의 특성과 유사한데 이 진공관은 +전극을 걸어주는 Anode와 -전극을 걸어주는 Cathode, 그리고 중간에 Grid라는 전극 물질로 구성되어 있다. 트랜지스터 내에서 전류의 흐름은 자유전자들이 +전압이 걸리면 Cathode 방향으로는 밀려지고 Anode 쪽으로 당겨져 Cathode에서 Anode방향으로 흐르고, -전압이 걸리면 Anode 방향으로는 밀려지고 Cathode 쪽으로 당겨져 Anode에서 Cathode방향으로 흐르는 특성을 가지게 되는데 이 때 Grid에 전원을 가하게 될시 양측으로 이동하는 전류를 제어할 수 있게 된다.

참고 자료

없음