서강대학교 전자회로I 설계 MOSFET을이용한Amplifier

소개글

전자회로 과목의 MOSFET을 이용한 증폭기설계입니다.
공부에 많은 도움되길 바랍니다.

목차

1. 제목
2. 목적
3. 목표및기준설정
4. 합성및분석
5. 시험및평가
6. 논의사항
7. 참고문헌

본문내용

1. 제목 : MOSFET을 이용한 amplifier 설계

2. 목적 : MOSFET을 이용하여 Common-Source, Common-Gate, Source-Follower amplifier의 이해하고 이를 응용하여 amplifier를 설계한다.

3. 목표 및 기준 설정
1) DC gain : 40dB 이상
2) 3-dB BW : 3MHz 이상
3) Power Consumption : 최소화
4) MOS에서 W<1000um
5) 100kΩ 이하 저항 사용
6) 각 부품에 흐르는 전류 0.1A넘지 않게 설계
7) 구성 부품수 최소화한 설계
8) MOS와 저항에 ±10% 오차 가정시 위 규격 구현되도록 설계

설계에서 사용되는 NMOS의 Model Parameter는 다음과 같다.

.model NMOS NMOS(Level=1 VTO=0.7 GAMMA=0.5 PHI=0.8 LD=0.08E-06
+ UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.57E-3 CJSW=0.12E-9
+ MJ=0.5 MJSW=0.4 CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9 CGSO=0.4E-9)

또한, 회로 구현시 VDD= 3.3V, VSS= 0V, load capacitor Cload= 0.5pF를 사용한다.

참고 자료

Microelectronic circuits, Sedra, Oxford University press, 2004, 6th Edition
Solid State Electronic Devices, Streetman, Pearson Education, 2003, 6th Edition