(결과)브리지 전파정류회로 & 트랜스의 직류 특성

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실험(3)

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3.트랜지스터에서 베이스 영역을 에미터나 콜렉터에 비하여 얇고 약하게 도핑시키는 이유는?
예를들면 PNP형 트랜지스터에서 P-N접합에서 중앙에 있는 N형 영역으로의 정공의 주입이 N-P접합을 통하는 역방향 바이어스일 때의 전류에 참여할 소수캐리어인 정공을 공급하게 된다. 이 주입된 정공이 역방향으로 바이어스된 접합의 공핍층으로 확산할 수 있을 때까지 N형 영역에서 재결합되지 않는 것이 중요하다. 따라서 N형 영역은 정공의 확산거리에 비하여 좁게 만들어야 한다. 마찬가지로 고농도로 도핑이 되어 있다면 많은 정공이 공핍층으로 확산하기 전에 N형 영역에서 재결합되기 때문에 저농도로 도핑시키는 것이 좋다.
4.트랜지스터의 4개의 동작 모드는 무엇인가?
컬렉터 전류에 대한 컬렉터-에미터간 전압이 비선형성을 띄는 포화영역(saturation region), 트랜지스터에 최소전류를 흐르게 하는 차단영역(cut-off region), 선형 전압조절이나 증폭 등의 용도로 사용되는 활성영역(active region), 트랜지스터의 정격보다 큰 영역인 항복영역(breakdown region)으로 나눌 수 있다.
5.트랜지스터의 베이스-콜렉터 및 베이스-에미터 접합 사이에 모두 순방향 바이어스를 가하면 이 트랜지스터는 어떤 동작 모드 내에 있게 되는가?
Saturation 영역
6.선형동작 모드에 있어서 실리콘 및 게르마늄 트랜지스터의 베이스-에미터 다이오드 사이의 전압은?
VBE > 0.7V

참고 자료

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