나노소재를 이용한 유기박막 트랜지스터(OTFT)소자

소개글

나노소재를 이용한 유기박막 트랜지스터(OTFT)소자
논문을 작성한것으로..
어느곳에서나 구할수 없는..제가 찾다찾다 못찾아 제가 만들어 올린..
어렵게 만든 자료이니 만큼...
좋은성적기대하셔도 좋을겁니다^^

목차

1. 서 론

2. 본 론
2-1.이론적 배경
2-2.전도성 유기물의 전도원리
2-3.전도도의 온도 의존성
2-4.OTFT의 구조와 동작원리
2-5.OTFT의 제작 공정
2-5-1.유기반도체 박막성막공정
2-5-2.유기게이트 절연박막 성막 공정
2-5-3.금속전극 공정
2-5-4.유기박막 형상화 공정

2-6.유기절연체의 특성
2-6-1.유전율
2-6-2.내열성
2-6-3. 계면특성의 최적화
2-6-4.고평탄화
2-6-5.고른평면형상
2-6-6.계면특성의 최적화
2-6-7.절연파괴강도
2-7.기능성 소재기반
2-7-1. 나노복합절연체 박막소재
2-7-2.박막화 기술
2-8.나노복합 절연체 제작 공정 및 유기물 절연체 형성
2-8-1. pentacene 반도체 층 증착
2-8-2. Al source-drain 전극 증착
2-8-3. 표면처리
2-8-4.전기 도금된 Ni의 표면조도
2-8-5.나노입자에 따른mobility 및Current on/off ratio 변화

3. 결 론

4. 참고문헌

본문내용

1. 서론
1940년대부터 전도성유기물 연구를 시작으로 하여 OTFT의 연구는 1964년에 CuPc를 사용하여 처음 제작하였으나 성능이 조악하여 연구가 미진하였다가 1983년에 polyacetylene으로 이동도 7×10⁻⁵cm2 / V·sec을 보고 함으로써관심을 끌기 시작했고, 1992년에 pentacene으로 이동도를 2×10⁻³ cm2 / V·sec으로 획기적으로 개선하여 본격적인 연구가 시작되었다. a-Si TFT에 근접한 트랜스터 개발로 인하여 [1] 이는 OTFT가 대면적인 기판위에 소자 제작이 가능한 경우, 낮은 공정 온도를 필요한 경우, 또한 기계적 유연성이 필요한 경우, 특히 저가 공정이 필요한 경우 등에 가장 적합하다. 이러한 OTFT는 미래의 정보표시 장치의 필수적인 요소들과 직접화가 용이하다는 장점을 가지고 있다. 유기박막트랜지스터(OTFT)의 경우 기계적으로 변형이 됨에도 불구하고 소자가 작동 할 수 있어 반복적 굽힘 환경 하에서 작동할 수 있는 신기능 소자응용에 유리하기 때문에 기존의 Si 소자와 마찬가지로 증폭 및 스위칭이 가장 기본적인 기능이지만 유기 박막 트랜지스터의 연성과 기능성 소재를 결합하면 기존의 Si 소자에서 구현하지 못한 새로운 기능을 구현하는 것이 가능할 것으로 기대어진다.

반도체의 경우 크게 무기물과 유기물을 이용한 반도체 층으로 분류되어지고, 이는 다시 n-type과 p-type으로 나누어서 연구개발 중이다. 절연체 층 또한 무기물과 유기물고 분류되고, 유기물 소재, 무기물 소재, 유기-무기물 복합 소재 등 다양한 대상으로 이루어지고 있다. 또한 유기물 반도체 층과 유기물 절연체 층을 이용한 유연성을 가진 유기박막 트랜스지터가 주목을 끌고 있다. 유연성 기판위에 OTFT를 이용한 전자 시스템을 실현하기 위해서는 각각의 막에 대한 우수한 접착성과 물리적 유연성이 필수적이다 [2] 특히 유기물 재료에 기반을 둔 전자 소재 적용은 공정이 용이성과 저가로 인해서 짧은 Life Time의 새로운제품에 응용될 수 있는 장점을 가질 수 있다.

참고 자료

[1] F. Ebisawa, T. Kurosawa, S. Nara, J. Appl Phys 54 (1983) 3255
그림1. 전자 통신동향 분석 제 20권 제5호 2005년 10월호
[2] W. Clemens, W. Fix, J. Ficker, A. Knobloch, A. Ullmann. J. Mater. Res.19 (2004) 1963.
[3] Web of Kno

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