비정질반도체에 대해

최초 등록일
1999.10.13
최종 저작일
1999.10
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목차

I. 온도변화에 따른 전기전도도의 변화.
II. 비정질 반도체(amorphous semiconductor)
⑴ 정의
⑵ 비정질 반도체의 구조와 전자상태
⑶ 직류전도
⑷ 도전형제어
III. Applications of a-Si
⑴ 薄膜太陽電池
⑵ 光센서
⑶ 薄膜트랜지스터(

본문내용

먼저 고체의 전도율을 살펴보면, 고체의 전기전도도는 주로 전자에 의해서 일어나지만 때로는 정공(positive hole), 또는 이온(ion) 에 의해서 일어나는 경우도 있다. 금속의 전기전도도는 자유전자(free electron) 가 전위의 차이에 대응하여 규칙적으로 배열된 금속원자의 사이를 이동함에 따라 일어난다. 이 때 전자의 밀도와 이동도(mobility) 가 전기전도율로 나타나며, 전자의 이동에 의한 저항은 전기저항(electric resistance) 으로 표현된다. 금속의 온도가 증가하면 격자를 형성하고 있는 각 원자는 그 평형위치를 중심으로 진동하게 되므로 전자의 통행을 교란하여 평균자유행로(mean free path λ) 를 작게한다. 이 때문에 금속의 전기저항은 온도가 증가함에 따라 커지고 전기전도도는 감소하게 된다. ρ를 금속의 비저항(specific resistance or resistivity : Ω·m) 이라 하면, ρ와 온도와의 관계는 다음과 같다.

( I-1 )

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