2020년 하반기 삼성전자 파운더리사업부 직무분석파일 및 실제 기출면접 정리자료

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목차

1. 직무분석파일

2. 2020년 하반기 삼성전자 파운더리사업부 최종면접
1) 경영진 면접
2) 실무진 면접

본문내용

1. Si의 특징
- Si는 4족에 위치한 원소로 인접한 원자와 서로 공유가 가능하다.
- 반도체에 아무것도 섞지 않은 pure한 상태를 instric이라고 한다.
- instric semiconductor이의 전자농도는 온도에 따라서 영향을 받는다.

2. Si의 도핑(Doping)
- 실리콘에 5족 원소(ex P)를 도핑하면 전자가 하나 남게되어 전자 농도가 높아진다. : type N
- 실리콘에 3족 원소(ex B)를 도핑하면 전공이 하나 남게되어 전공 농도가 높아진다. : type P

3. Drift
- 전기장에 의해 힘을 받아서 carrier가 이동하는 것을 drift라고 한다.
- carrier의 속도는 전기장의 크기에 비례하는 특징이 있으며, 비례상수를 mobility라고 정의하며, 이 값은 물질의 특징이다. 즉, hole과 electron의 mobility는 서로 다르다.

4. Diffusion
- 확산(Diffusion)은 농도가 높은 쪽에서 낮은 쪽으로 입자가 이동하는 것을 말한다.
- 외부에서 carrier가 주입되면(injection), 주입된 근처에 농도가 높아지게 된다. 자연스레 다른 곳과 농도 차이에 따른 기울기가 형성되며, 기울기의 크기에 따라 이동하는 메카니즘이 바로 Diffusion current이다.

5. pn접합
- p-type과 n-type을 접합 시키면 접합부를 기준으로 p-type쪽에는 hole이 n-type쪽에는 전자가 넘쳐날 것이다. (P-type쪽 : Anode, n-type쪽 : Cathode)
- 접합부를 기준으로 농도 차이가 발생했고 즉, 농도 기울기의 발생에 따라 Diffusion이 일어나게 된다.
- t>0이 되면, 서로를 향하여 majority carrier의 Diffusion이 일어나게 된다. 다시말해, 자유전자(free electron)은 n-type에서 p-type으로, 자유정공(free hole)은 p-type에서 n-type으로 확산한다.