[A+] 다이오드 실험 보고서 레포트

소개글

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목차

1. 목적
2. 실험이론
3. 실험 재료 및 방법
4. 실험결과
5. 결론 및 고찰

본문내용

1. 목적
반도체 다이오드의 원리를 이해하고, p-n 접합 반도체 다이오드 및 도체(저항)의 전류-전압 특성을 실험적으로 고찰하고 그래프를 그린다. 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해한다. 반도체와 도체의 차이를 비교한다.

<중 략>

(5) 제너 다이오드
-제너 다이오드의 정류용 다이오드와는 다른 종류의 Si p-n 접합 소자로서 역방향 항복에서 동작하도록 설계된 다이오드를 말한다. 기준전압 또는 정전압
소자로서 이용할 수 있도록 항복전압(breakdown voltage)을 제조공정에서 구조의 기하학적 제어와 불순물 첨가 등에 의하여 예측할 수 있는 어떤 특정값이 되도록 제조된 다이오드이다. 다이오드에서 역방향 바이어스 전압을 계속 증가시키면 항복현상이 일어나는데, 이것은 다음 두 가지의 고체 역학적 작용에 의하여 생긴다. 첫째로, 공핍층 영역 내에 생긴 강한 전계에 의하여 공유결합을 이루고 있는 전자가 결합으로부터 이탈하면, 다수의 전자와 정공이 생기기 때문에 전기전도도가 높아진다. 따라서 전류가 크게 증가하는데, 이러한 현상을 제너항복(Zener breakdown)이라 부르며, 불순물 농도가 큰 pn 접합에서는 공핍층 영역은 좁아지고, 전계는 강하게 되기 때문에 제너 항복현상이 두드러지게 나타난다. 둘째는, 전자와 정공이 공핍층 영역을 통과할 때 충분히 가속되어 직접 공유결합을 이루고 있는 전자에 충돌함으로써 전자를 결합으로부터 이탈시키는 것이다. 이러한 현상을 애벌런치 항복(avalanchebreakdown)이라 부르며, 공핍층 영역이 넓으면 충돌의 기회가 많아지므로 애벌런치 항복은 불순물 농도가 낮은 p-n 접합에서 두드러지게 나타난다.

참고 자료

없음