경상대학교 반도체설계개론 1차 레포트/과제

소개글

경상대학교 전자공학과 레포트 과제입니다

목차

1. 원자의 구조에서 가전자, 이온화 현상, 원자핵의 순전하에 대하여 설명하시오
2. 진성 실리콘을 설명하고, 절대온도 0°K에서 진성 실리콘의 상태와 열이 진성 실리콘에 가해졌을 때의 상태를 설명하시오.
3. 실리콘에서 전류가 형성되는 두 개의 에너지 대역은 무엇인지 기술하시오.
4. 도핑의 목적과 이 목적을 달성하기 위한 과정을 설명하고 N형 도핑과 P형 도핑이 이루어진 결과 실리콘 원자의 구조를 도시하고, 이를 설명하시오.
5. 반도체의 4가지 특성에 대하여 설명하시오.
6. 진성 실리콘이 실온에서 부도체인 이유를 설명하시오.
7. 도핑에 사용되는 N형 혹은 P형 물질을 쓰시오.
8. N형 반도체의 도핑 과정과 전도성이 증가하는 원리를 설명하시오.
9. P형 반도체의 도핑 과정과 전도성이 증가하는 원리를 설명하시오.
10. 도체, 반도체, 절연체의 특징을 에너지 다이어그램에서 설명하시오.
11. 억셉터와 도너에 대하여 설명하시오.
12. 페르미 준위에 대하여 설명하시오.
13. 진성반도체의 페르미 준위에 대하여 설명하시오.
14. N형 반도체의 도너 레벨과 페르미 준위에 대하여 설명하시오.
15. P형 반도체의 억셉터 레벨과 페르미 준위에 대하여 설명하시오.
16. 페르미-디랙 분포함수에 대하여 설명하시오.

본문내용

1. 원자의 구조에서 가전자, 이온화 현상, 원자핵의 순전하에 대하여 설명하시오
한 원자에 속해 있는 각들 중 가장 멀리 떨어져 있는 각을 가전자각이라고 하는데, 가전자각 내에 있는 전자들을 가전자라고 한다. 가전자는 가장 높은 에너지 준위를 가지며 상대적으로 원자에 대한 구속력이 낮다.
가전자가 충분한 에너지를 얻어 최외각으로부터 이탈하여 원자가 전자를 잃는 과정을 이온화라고 한다. 이온화가 진행되면 양이온과 자유전자가 생성된다. 원자핵의 순전하는 최외각을 제외한 핵과 내부 각의 전하들로 구성된다.

2. 진성 실리콘을 설명하고, 절대온도 0°K에서 진성 실리콘의 상태와 열이 진성 실리콘에 가해졌을 때의 상태를 설명하시오.
진성실리콘은 공유결합으로 이루어져있고, 0K에서는 공유결합을 유지하다가 상온수준까지 열에너지가 증가하면 일부 전자쌍 경우 들뜸상태가 되고 원자핵을 벗어나 공유결합에서 벗어나게 된다.

참고 자료

없음