인하대 반도체소자 중간고사 족보
- 최초 등록일
- 2020.06.27
- 최종 저작일
- 2016.06
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본문내용
1.(10points) Most semiconductor devices operate by the creating of charge carriers in excess of the thermal equilibrium values. These excess carriers can be created by (a. ) or (b. ) or injection across a forward-biased p-n junction. Light emission from EHP excited by (a. ) is called "(c. )" and that from EHP excited by is called "(d. )".
2.(5points) It is known that, at the same doping level, the conductivity of n-type and p-type semiconductors differ. What is the reason for this difference?
참고 자료
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