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"Silicon Carbide" 검색결과 61-73 / 73건

  • 한글파일 박막의 제조방법
    반응의 따른 분류 ① Thermal decomposition (or pyrolysis) 반응 ② Reduction 반응 ③ Oxidation and Hydrolysis 반응 ④ Carbides ... WSi2나 MoSi2는 디바이스가 고 집적화(1 DRAM 이후) 되어 종래 게이트 전극으로 사용되어 왔던 폴리 실리콘의 면저항(sheet resistance)이 높아 디바이스의 속도를
    리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06
  • 파워포인트파일 [전자공학] 반도체 제조 공정
    Garbide 2.C:Black Silicon Carbide 3.A:Regular Fused Alumina 4.WA:White Fused Alumina 5.PWA:Platelet ... ..PAGE:4 인상로의 구조 ..PAGE:5 단결정 성장 과정 고순도로정제된 실리콘용융액에 SPEED 결정을 접촉, 회전시키면서 결정 규소봉(INGOT)을 성장시킴 ..PAGE:6 ... Lapping Slicing 공정 중 발생된 웨이퍼 표면의 Damage를 제거하고 웨이퍼의 두께와 평탄도를 균일하게 만드는 공정. ..PAGE:20 연마제의 종류 1.GC:Green Silicon
    리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.03
  • 한글파일 Microwave-Induced Pyrolysis of Waste Polystyrene in Motor oil
    석사 학위 논문 Microwave-Induced Pyrolysis of Waste Polystyrene in Motor oil CONTENTS I. Introduction ........................................................
    리포트 | 39페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.05.11
  • 한글파일 [재료공학] 재료과학
    세라믹 재료는 결정질, 비결정질 또(Carbide)등의 재료를 뜻한다. ... 규소(silicon)는 다음 두 가지 용도로 사용된다 문제1.3.3 복합재료의 정의하고 복합재료의 예를 열거하라. ※복합재료!? 복합재료는 둘 또는 그 이상의 재료의 혼합체이다. ... 규소원소(Silicon) 규소는 주기율표상 14번 원소로 탄소와 같은 4족의 원소이다. 1823년 Berzelius에 의하여 최초로 원소로서 분리되었으며, 지각의 약 28%를 구성하고
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.20
  • 한글파일 [반도체] 실리콘 카바이드(SiC)의 IC 응용
    Abstracts Silicon Carbide: The Semiconductor Material of the Future Among the emerging semiconductor ... 현재의 연구 상황은 어떤 실리콘 기질(silicon substrate)의 개발에 관한 것이다. ... Silicon carbide semiconductor materials will make possible key technologies that would not be possible
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.16
  • 한글파일 [반도체] Investigation of GaN (질화 갈륨의 특성 조사)
    Silicon Carbide는des), UV detector, HFET(hetero structure field effect transistor)등의광소자 및 전자소자로 응용이 가능하다 ... 청색을 만들어 내기 위해 세계의 주요 연구기관에서 셀렌(Se)이나 실리콘탄화물(SiC)을 이용해 500nm 이상의 장파장 녹-청색 소자의 개발은 성공하였으나 450nm 이하 고휘도
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.21
  • 한글파일 [박막공학] CVD의 모든것
    암모니아를 사용한 예는 Silicon nitride의 증착에서 볼 수 있는데 이는 반도체 산업에서 널리 사용되고 있다. { 3SiH_4 (g)+4NH_3 (g)&->&Si_3 N_4 ... WSi2나 MoSi2는 디바이스가 고 집적화(1 DRAM 이후) 되어 종래 게이트 전극으로 사용되어 왔던 폴리 실리콘의 면저항(sheet resistance)이 높아 디바이스의 속도를 ... 와 Nitrides를 형성하기 위한 반응 Carbides의 증착은 일반적으로 메탄과 같은 hydrocarbon으로 halide를 반응시킴으로써 이루어진다.
    리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2002.07.20
  • 한글파일 [기업사례] 한국 OSG 에 대해서....
    제품명: AC5, MC2, NC1 Carbide Grades, Cermet Grades, Silicon Nitride Grad트 ... ☞일본 텅스텐(주) 제품명: NPC, NAYCON Carbide Grades, Cermet Grades, Silicon Nitride Grades 생산중 ☞독일 HERTEL International ... 서멧, 메카니칼 씰, 각종 내마모 지그 등 생산 ☞쌍용양회 세라믹 절삭공구 전문 생산 (제품명: CERABIT) ☞한국야금(주) 1966년 설립 (제품명: KORLOY(코오로이)) Carbide
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.03.30
  • 한글파일 [금속공학]상변태실험(템퍼링2차경화)
    본 실험에서는 고함량 Co-Ni계의 Aermet100(0.28C-1.5Mo-4Cr-11Ni-9Co-0.009La)강을 오스테나이트화 한 후 급냉후 템퍼링에 의해 M2C Carbide형성에 ... 그후 각각의 시표조건은 As-Quenched를 제외한 1, 5, 10, 20, 50h이다. 475 에서 각각의 시간에 따라 시효처리를 한 후 시편의 양면을 silicon carbide
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.11.06
  • 한글파일 [재료공학]세라믹 제조 공정
    . * RBSN (Reaction Bonded Silicon Nitride) (s) + 2 → (s) : 1350℃에서 가열 * RBSC (Reaction Bonded Silicon ... Carbide) Si(s) + C(s) → SiC(s) Si 및 C분말을 잘 혼합하여 냉간에서 성형 후 1300 ~ 1350℃로 가열 (약 50%생성) Si(s) + C(s교
    리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.05.14
  • 한글파일 [응용화학공학] 말단기 분석법에 의한 고분자의 분자량 측정
    M. and Babonneau, F., "Preceramic Polymer Routes to Silicon Carbide,"Chemistry of Materials, 5, 260 (
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.19
  • 한글파일 [신소재] 최신 복합재료
    yard tex (g/km) : 1km 의 실의 무게 gr 2) 탄소섬유(Carbon Fiber) 탄소섬유는 탄소원자의 결정구조를 이용한 고강도섬유로서 1959년 미국 Union Carbide ... 개발된 유리섬유 복합재료를 그 시발점으로 보는 것이 타당하다고 하겠다. 1960년의 보론섬유 개발을 시작으로 PAN계 탄소섬유, 피치계 탄소섬유, 아라미드(aramid), 알루미나, 실리콘카바이드
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.02
  • 한글파일 [재료종류]복합재료
    세라믹스재료 무기질을 주원료로 사용하는 산화물(Oxide), 질화물(Nitride), 탄화물(Carbide)등의 재료를 뜻한다. ... 금속이나 세라믹을 기지재료로 하는 복합재료에서는 재료의 경량화와 고강도화를 목적으로 탄소섬유, 실리콘 카바이드섬유, 알루미나섬유 등이 강화섬유로 이용되고 있으 강화재(强化材)로 복합시켜
    리포트 | 4페이지 | 20,000원 | 등록일 2002.10.10 | 수정일 2021.12.03
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