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"Silicon Carbide" 검색결과 41-60 / 73건

  • 한글파일 XRD-미지시료 분석결과 SIC분석결과
    그러므로 Sample.2의 경우 SiC(Silicon Carbide)의 형태를 이루고 있으며 결정격자는 a = 3.08100Å c = 10.06100Å 인 Hexagonal 구조를 ... 미지의 sample 에 대한 분석 일단 Sample.1 과 Sample.2의 XRD 결과를 보게 되면 Sample.1의 경우 재료는 CSi (Silicon Carbide), Lattice ... Carbide Lattice : Face-centered cubic a = 4.35810 Z = 4 Mol. weight = 40.10 Volume [CD] = 82.77 Dx =
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.19
  • 파워포인트파일 Light Emitting Diode
    Carbide (SiC) or Gallium Indium Nitride (GaInN). ... Movement of particles in the layers of silicon crystal semiconductors in LED create light For the LED ... heat Last for thousands of hours Ten times more efficient than incandescent light bulbs Sandwich of silicon
    리포트 | 18페이지 | 20,000원 | 등록일 2010.02.24
  • 파워포인트파일 탄화규소의 용도
    Carbide) GC(Green Silicon Carbide) 명 칭 코팅재로서의 SiC분말 #1 1. ... → 연마작업시 사용하는 입상 또는 분말상의 고경도물질 GC(Green Silicon Carbide) C(Black Silicon Carbide) 연마재로서의 SiC분말 #2 회색주물 ... 세라믹연마등) 적용분야 3100~3280㎏/㎟ 3280~3400㎏/㎟ 현미강도 성 분 • 강한 인장강도 • 일정한 도전성 / 도열성 • 강한 인장강도 • 높은 순도 특 징 C(Black Silicon
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.03
  • 한글파일 XRD 원리와 응용예
    Carbide Lattice : Face-centered cubic a = 4.35810 Z = 4 Mol. weight = 40.10 Volume [CD] = 82.77 Dx = ... Carbide), Lattice : Face-centered cubic, a = 4.35810, Z = 4 Mol, weight = 40.10 g/mol 이라는 사실을 알 수 있다 ... 133.394 0.84351 -0.66205 63 5 1 1 Pattern : 03-065-0360 Radiation = 1.540598 Quality : Indexed CSi : Silicon
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.18
  • 파워포인트파일 합성분말의 종류와 용도
    현 합성분말의 종류와 용도 내화물, 발열체 반도체용 치구 SiC 탄화규소 (Silicon Carbide) 고체 윤활제 BN 질화붕소 (Boron Nitride) 기계부품, 공구, 구조재료 ... Carbide) 5. ... Si3N4 질화규소 (Silicon Nitride) 내화물 MgAl2O4 스피넬 (Spinel) 내화재료 Al6Si2O13 멀라이트 (Mullite) 5.
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.25
  • 한글파일 방탄소재
    서 론 (1) 방탄재료를 이용한 가공품 ① 방탄유리 ② 장갑차 ③ 방탄복 (2) 보편적인 세라믹 방탄재료 ① Aluminium oxide (Al2O3) ② Silicon carbide ... 기존의 방탄재질에 사용된 실리콘이나 금속판은 탄에 공격당했을시에 탄을 완벽히 파괴하지 못할 뿐만 아니라 큰 데미지를 받아서 재차 공격 당했을시에 취약점을 드러냈다. ... 이에 따라 제작에 드는 비용 역시 적게 들수 있다. ④ 방탄시의 원리 위에 설명한과 같이 Exote-Armour는 실리콘·금속 복합체로 이루어진 기본 방탄 재질에 인장강도가 높은 금속이나
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.30
  • 한글파일 2015년 최신판 도자기의 이해 정리집
    무기물질을 주원료로 사용하는 산화물(Oxide), 질화물(Nitride), 탄화물(Carbide) 등의 재료(Al2O3, Fe2O3, Si3N4, AlN, SiC, TiC) - 산화물 ... : Fe(철)+2O3(산소)=Fe2O3(산화물), 산소(2O3)가 붙기 때문에 ‘산화물’이라고 표현함 : Al(알루미늄)+2O3(산소)=Al2O3(알루미늄산화물) - 질화물=실리콘
    시험자료 | 132페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.01.20
  • 한글파일 CVD의 증착과정과 종류와분류 그리고 CVD의 장단점과 매커니즘
    암모니아를 사용한 예는 Silicon nitride의 증착에서 볼 수 있는데 이는 반도체 산업에서 널리 사용되고 있다. ... 이러한 것이 반응을 일으키고, 비정질 실리콘 등의 박막이 기판상에 석출한다. ... Carbides 와 Nitrides를 형성하기 위한 반응 Carbides의 증착은 일반적으로 메탄과 같은 hydrocarbon으로 halide를 반응시킴으로써 이루어진다.
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.04
  • 워드파일 Poly carbonate에 대하여
    Schnell에 의해 공업적인 연구가 시작된 이래 미국의 General Electric사, Union Carbide, Allied Chemical, Eastman Kodak, 구 소련의 ... Unblended PC, silicone으로 내마모성 coating, 충격 보강, pigmented, double- or twin- walled glazing sheet 등의 형태로
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.12
  • 파워포인트파일 탄화규소
    ..PAGE:1 Silicon carbide Silicon Carbide(SiC) 경상대학교 세라믹공학과 ..PAGE:2 Silicon carbide SiC란? ... 고온가스터빈,베어링,실리콘기판, 최근들어 반도체나,가짜 보석으로도 만들어지고있다. ... 질소 소결지연 CO분위기 붕소제거 ->수축과 치밀화방해 20 베타 탄화규소 압력없이 치밀화 C.B함께존재 C표면에 실리카가 환원 실리콘 증기 치밀화지연.입자 조대화 질소 소결지연
    리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.08
  • 한글파일 세라믹 나노복합재료의 제조 및 응용-학사논문
    Sci., 35[12], 3143-3149(2000) 2) Threshold Stress in Creep of Alumina-Silicon Carbide Nanocomposites, ... Innovat., vol.2, issue 2, 83-86(1998) 5) Machinability of Silicon Nitride/Boron Nitride Nanocomposites ... Soc., 85 [11] 2689-95 (2002) 6) Fabrication and Microstructure of Silicon Nitride/Boron Nitride Nanocomposites
    리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.28
  • 한글파일 단결정 성장 메커니즘과 성장방법에 대한 연구,조사
    그러나 Si기판의 경우 GaAs보다 더 반응에 민감하고 SiC(Silicon Carbide)를 형성하여 에피성장을 방해하므로 세척이 어렵다. ... 산소는 시스템에 존재하는 다른 불순물과 함께 실리콘속에 용해되어 실리콘의 전기적 물성에 영향을 미치게 된다.
    리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.09.27
  • 한글파일 cvd
    대표적인 Carbides의 증착의 예는 다음과 같다. Nitrides의 증착은 일반적으로 암모니아를 이용한다. ... 암모니아를 사용한 예는 Silicon nitride의 증착에서 볼 수 있는데 이는 반도체 산업에서 널리 사용되고 있다. ◎ CVD의 전조물질 여러가지의 다양한 CVD의 화학적 반응들이 ... WSi2나 MoSi2는 디바이스가 고 집적화(1 DRAM 이후) 되어 종래 게이트 전극으로 사용되어 왔던 폴리 실리콘의 면저항(sheet resistance)이 높아 디바이스의 속도를
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16
  • 한글파일 기능성고분자
    상업화는 1930년대에 독일에서 Butadiene의 유화중합(Emulsion Polymerization)기술로 시도되었으며, 미국에서는 1936년에 Union Carbide사가 현탁중합 ... 폴리부틸테레프탈레이트(PBT) 특수엔지니어링 플라스틱 폴리이미드(PI) 폴리아미드이미드(PAI) 폴리슬폰(PSF) 폴리페닐렌설파이트(PPS) 폴리에테르술폰(PES) 폴리에테를에테르케톤(PEEK) 실리콘
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.04.02
  • 워드파일 전기로의 종류, 발열체의 종류, Seebeck 계수와 열전대의 원리, 열전대의 종류
    비금속 발열체를 표로 나타내면, 종류 구분 재질 최고온도 비금속 발열체 고온용 SiC Silicon Carbide 1600°C MoSi₂ 1800°C 란탄 크로마이트 1800°C 초고온용
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.04
  • 한글파일 폴리카보네이트 (polycarbonate)
    Schnell에 의해 연구시작 미국의 General Electric사, Union Carbide, Allied Chemical, Eastman Kodak, 구 소련의 O.V.Smrnova와 ... Unblended PC, silicone으로 내마모성 coating, 충격 보강, pigmented, double- or twin- walled glazing sheet 등의 형태로
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.11
  • 파워포인트파일 [항공우주공학]차세대우주왕복선
    Carbide (탄화규소)) 엔진재료 (렘제트엔진) - Mo-Re합금 (몰리브덴-레늄) - Haynes 188 그 외 가능한 Space vehicle 우주범선 Space Plane ... – 엔진 1 미항공우주국(NASA)에서 개발한 램제트 엔진 모델 블랙홀의 상상도면 N.S 의 적용될 신소재 기체재료 - 탄소 섬유 - 아라미드 섬유 - 세라믹 섬유 (SIC - Silicon
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.02
  • 한글파일 [반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사
    대표적인 화합물 반도체 소자인 SiC(Silicon Carbide)나 GaN(Gallium Nitride) 같은 경우에는 기판을 Si Wafer를 사용하지 않고, Insulator ... Term paper Investigation of SOI(Silicon On Insulator) 1. SOI란 무엇인가 2. SOI의 개발역사 3. ... 또 다른 문제점 중의 하나로는 회로를 집적시키면서 회로와 실리콘 웨이퍼 사이의 얇은 절연체(Insulator, MOS 소자에서는 SiO2)가 Capacitor와 같은 역할을 하게 되면서
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24
  • 한글파일 극한섬유소재
    Nextel 3M FiberFP Dupont Silicon Carbide Nicalon Nihon Carbon Tyranno Ube Inc.
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.12
  • 한글파일 [치과]치과용 절삭연마기구
    Carbide Bur 1)Surgical Bur *용도 수술시 사용한다. ... Stone/Silicon Point 1)BRUSHINE UNIVERSAL POLISHING KIT *용도 보철물 표면을 광택제 필요 없이 연마한다.
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.20
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